金属面49SMD晶振,台产SIWARD晶振,LP-3.5S晶振,LP-4.2S晶振

产品详情

希华晶振科技敏锐地掌握电子产品轻薄短小化、快速光电宽频传输与高频通讯的发展主流，致力于开发小型化、高频与光电领域等产品，与日本同业并驾齐驱。且深耕微机电(MEMS)技术领域，加速导入TF 贴片晶振的量产，藉以扩大公司营收规模并且提升获利空间。

藉由台湾、日本、大陆三地的产品设计开发与制程资源整合，不断开发创新及制程改造，以全系列完整产品线，来满足客户对石英元件多样化的需求。积极地透过产学合作与配合国外技术引进开发新产品，多角化经营、扩大市场领域，此亦为公司得以永续经营的方针。

SIWARD晶振,贴片晶振,LP-3.5S晶振,LP-4.2S晶振,产品本身具有高稳定性,高可靠性的石英晶体谐振器,焊接方面支持表面贴装,外观采用金属封装,具有充分的密封性能,晶振本身能确保其高可靠性,采用编带包装,可对应产品应用到自动贴片机告诉安装,满足无铅焊接的高温回流温度曲线要求.

贴片晶振晶片边缘处理技术：贴片晶振是晶片通过滚筒倒边，主要是为了去除石英晶振晶片的边缘效应，在实际操作中机器运动方式设计、滚筒的曲率半径、滚筒的长短、使用的研磨砂的型号、多少、填充物种类及多少等各项设计必须合理，有一项不完善都会使晶振晶片的边缘效应不能去除，而石英晶振晶片的谐振电阻过大，用在电路中Q值过小，从而电路不能振动或振动了不稳定。

希华晶振规格	单位	LP-3.5S晶振,LP-4.2S贴片晶振频率范围	石英晶振基本条件
标准频率	f_nom	3.5MHZ~80.0MHZ	标准频率
储存温度	T_stg	-40°C ～ +90°C	裸存
工作温度	T_use	-40°C ～ +85°C	标准温度
激励功率	DL	200μW Max.	推荐:1μW ～ 100μW
频率公差	f_— l	±50 × 10^-6(标准), (±15 × 10^-6～±50 × 10^-6可用)	+25°C 对于超出标准的规格说明, 请联系我们以便获取相关的信息,http://www.crystal95.com/
频率温度特征	f_tem	±30 × 10^-6/-20°C ～ +70°C	超出标准的规格请联系我们.
负载电容	CL	8pF ,10PF,12PF,20PF	超出标准说明,请联系我们.
串联电阻(ESR)	R₁	如下表所示	-40°C — +85°C,DL = 100μW
频率老化	f_age	±5 × 10^-6/ year Max.	+25°C,第一年

LP-3.5S 12.3-4.7

SIWARD晶振,贴片晶振,LP-3.5S晶振,LP-4.2S晶振产品线路焊接安装时注意事项

耐焊性：

将晶振加热包装材料至+150°C以上会破坏产品特性或损害产品。如需在+150°C以上焊接石英晶振,建议使用SMD晶振产品。在下列回流条件下,对石英晶振产品甚至SMD贴片晶振使用更高温度,会破坏晶振特性。建议使用下列配置情况的回流条件。安装这些贴片晶振之前,应检查焊接温度和时间。同时,在安装条件更改的情况下,请再次进行检查。如果需要焊接的晶振产品在下列配置条件下进行焊接,请联系我们以获取耐热的相关信息。

（1）柱面式产品和DIP产品

晶振产品类型	晶振焊接条件
插件晶振型,是指石英晶振采用引脚直插模式的情况下比如：椭圆形引脚插件,圆柱晶体引脚插件	手工焊接+300°C或低于3秒钟请勿加热封装材料超过+150°C
SMD型贴片晶振,是指石英晶振采用SMT高速焊接,或者回流焊接情况下,有些型号晶振高温可达260°,有些只可达230°	+260°C或低于@最大值 10 s 请勿加热封装材料超过+150°C