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Si536有源晶振,536AB125M000DG,6G路由器晶振,Silicon差分振荡器

Si536有源晶振,536AB125M000DG,6G路由器晶振,Silicon差分振荡器Si536有源晶振,536AB125M000DG,6G路由器晶振,Silicon差分振荡器

产品简介

Si536有源晶振,536AB125M000DG,6G路由器晶振,Silicon差分振荡器,尺寸7.00x5.00mm,频率125MHZ,输出逻辑为LVPECL,电压3.3V,频率稳定性20ppm,脚位6-SMD,XO时钟晶体振荡器(标准) ,OSC晶振,贴片差分晶振,有源晶体振荡器,LVPECL输出晶振,LVPECL差分晶振,差分晶体振荡器,小体积差分晶振,六脚贴片差分晶振,低抖动差分晶振,低功耗差分晶振,低相位差分晶振,低电压差分晶振,高质量差分晶振,路由器专用差分晶振,交换机差分晶振,网络设备差分晶振,电信专用差分晶振,具有低功耗低抖动的特点,产品特别适用于10/40/100G数据中心,10G以太网交换机/路由器,光纤通道/SAS/存储,企业服务器,网络,电信等领域。

Si535/536 XO采用了Skyworks Solutions先进的DSPLL电路以在高速差分频率下提供超低抖动时钟。 不像传统的XO,每个输出需要不同的晶体频率,Si535/536差分晶体振荡器使用一个固定晶体来提供宽范围的输出频率。这种基于IC的方法允许晶体谐振器提供卓越的频率稳定性和可靠性。此外,DSPLL时钟合成提供出色的电源噪声抑制,简化了任务在高噪声环境中产生低抖动时钟,常见于通信系统。基于Si535/536 IC的XO是工厂编程,因此消除了与定制振荡器。Si536有源晶振,536AB125M000DG,6G路由器晶振,Silicon差分振荡器.



产品详情

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Si536有源晶振,536AB125M000DG,6G路由器晶振,Silicon差分振荡器,尺寸7.00x5.00mm,频率125MHZ,输出逻辑为LVPECL,电压3.3V,频率稳定性20ppm,脚位6-SMD,XO时钟晶体振荡器(标准) ,OSC晶振,贴片差分晶振,有源晶体振荡器,LVPECL输出晶振,LVPECL差分晶振,差分晶体振荡器,小体积差分晶振,六脚贴片差分晶振,低抖动差分晶振,低功耗差分晶振,低相位差分晶振,低电压差分晶振,高质量差分晶振,路由器专用差分晶振,交换机差分晶振,网络设备差分晶振,电信专用差分晶振,具有低功耗低抖动的特点,产品特别适用于10/40/100G数据中心,10G以太网交换机/路由器,光纤通道/SAS/存储,企业服务器,网络,电信等领域。

Si535/536 XO采用了Skyworks Solutions先进的DSPLL电路以在高速差分频率下提供超低抖动时钟。 不像传统的XO,每个输出需要不同的晶体频率,Si535/536差分晶体振荡器使用一个固定晶体来提供宽范围的输出频率。这种基于IC的方法允许晶体谐振器提供卓越的频率稳定性和可靠性。此外,DSPLL时钟合成提供出色的电源噪声抑制,简化了任务在高噪声环境中产生低抖动时钟,常见于通信系统。基于Si535/536 IC的XO是工厂编程,因此消除了与定制振荡器。Si536有源晶振,536AB125M000DG,6G路由器晶振,Silicon差分振荡器.

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Si536有源晶振,536AB125M000DG,6G路由器晶振,Silicon差分振荡器参数表

Parameter Symbol Test Condition Min Typ Max Unit
Supply Voltage1 VDD 3.3 V option 2.97 3.3 3.63 V
2.5 V option 2.25 2.5 2.75 V
Supply Current IDD Output enabled
LVPECL
LVDS

111
90
121
98
mA
Tristate mode 60 75 mA
Output Enable (OE)2 VIH 0.75 x VDD V
VIL 0.5 V
Operating Temperature Range TA –40 85 °C
Parameter Symbol Test Condition Min Typ Max Unit
Nominal Frequency1 fO LVPECL/LVDS 100 312.5 MHz
Initial Accuracy fi Measured at +25 °C at time of
shipping
±1.5 ppm
Temperature Stability1,2 –7
–20

+7
+20
ppm
Aging fa Frequency drift over first year ±3 ppm
Frequency drift over 20 year
life
±10 ppm
Total Stability2 Temp stability = ±20 ppm ±31.5 ppm
Temp stability = ±7 ppm 20
Powerup Time3 tOSC TA= –40°C — +85°C 10 ms
Parameter Symbol Test Condition Min Typ Max Unit
LVPECL Output Option1 VO Mid-level VDD– 1.42 VDD– 1.25 V
VOD Swing (diff) 1.1 1.9 VPP
VSE Swing (Single-ended) 0.55 0.95 VPP
LVDS Output Option2 VO Mid-level 1.125 1.20 1.275 V
VOD Swing (diff) 0.5 0.7 0.9 VPP
Rise/Fall time (20/80%) tR,tF 350 ps
Symmetry (duty cycle) SYM Differential 45 55 %
3Si536有源晶振,536AB125M000DG,6G路由器晶振,Silicon差分振荡器 尺寸图Si535 Si536

OscillatorCrystal产品特性:

可从以下频率中选择

100MHz至312.5MHz

集成superior的第三代DSPLL

抖动性能和高功率

电源噪声抑制

频率稳定性比高3倍

基于SAW的振荡器

LVPECL和 LVDS输出

3.3和2.5 V电源选项

行业标准5x7毫米

封装和引脚排列

无铅/符合RoHS标准Si535 Si536 1

Si535 Si536 2更多相关美国Silicon晶振型号

Manufacturer Part Number原厂代码 Manufacturer品牌 Series型号 Frequency 频率 Voltage - Supply电压 Frequency Stability频率稳定度
530EC200M000DG Silicon振荡器 Si530 200MHz 2.5V ±7ppm
531FC155M520DG Silicon振荡器 Si531 155.52MHz 2.5V ±7ppm
531EC156M250DG Silicon振荡器 Si531 156.25MHz 2.5V ±7ppm
530FC155M520DG Silicon振荡器 Si530 155.52MHz 2.5V ±7ppm
530BC000110DG Silicon振荡器 Si530 148.35165MHz 3.3V ±7ppm
530FC148M500DG Silicon振荡器 Si530 148.5MHz 2.5V ±7ppm
536AB125M000DG Silicon振荡器 Si536 125MHz 3.3V ±20ppm
535EB125M000DG Silicon振荡器 Si535 125MHz 2.5V ±20ppm
536EB125M000DG Silicon振荡器 Si536 125MHz 2.5V ±20ppm
535BB125M000DG Silicon振荡器 Si535 125MHz 3.3V ±20ppm
535BB156M250DG Silicon振荡器 Si535 156.25MHz 3.3V ±20ppm
535FB156M250DG Silicon振荡器 Si535 156.25MHz 2.5V ±20ppm
530EC312M500DG Silicon振荡器 Si530 312.5MHz 2.5V ±7ppm
530BC250M000DG Silicon振荡器 Si530 250MHz 3.3V ±7ppm
530EC311M040DG Silicon振荡器 Si530 311.04MHz 2.5V ±7ppm
530FC311M040DG Silicon振荡器 Si530 311.04MHz 2.5V ±7ppm
530FC622M080DG Silicon振荡器 Si530 622.08MHz 2.5V ±7ppm
531AC311M040DG Silicon振荡器 Si531 311.04MHz 3.3V ±7ppm
531BC311M040DG Silicon振荡器 Si531 311.04MHz 3.3V ±7ppm
531EC311M040DG Silicon振荡器 Si531 311.04MHz 2.5V ±7ppm
531EC622M080DG Silicon振荡器 Si531 622.08MHz 2.5V ±7ppm
531FC622M080DG Silicon振荡器 Si531 622.08MHz 2.5V ±7ppm
531FC311M040DG Silicon振荡器 Si531 311.04MHz 2.5V ±7ppm
530BC311M040DG Silicon振荡器 Si530 311.04MHz 3.3V ±7ppm
531BC622M080DG Silicon振荡器 Si531 622.08MHz 3.3V ±7ppm
531FC312M500DG Silicon振荡器 Si531 312.5MHz 2.5V ±7ppm
530EC622M080DG Silicon振荡器 Si530 622.08MHz 2.5V ±7ppm
531EC312M500DG Silicon振荡器 Si531 312.5MHz 2.5V ±7ppm
530BC622M080DG Silicon振荡器 Si530 622.08MHz 3.3V ±7ppm
531AC250M000DG Silicon振荡器 Si531 250MHz 3.3V ±7ppm
530AC311M040DG Silicon振荡器 Si530 311.04MHz 3.3V ±7ppm
530FC312M500DG Silicon振荡器 Si530 312.5MHz 2.5V ±7ppm
531EC250M000DG Silicon振荡器 Si531 250MHz 2.5V ±7ppm
530AC312M500DG Silicon振荡器 Si530 312.5MHz 3.3V ±7ppm
530EC250M000DG Silicon振荡器 Si530 250MHz 2.5V ±7ppm
530AC250M000DG Silicon振荡器 Si530 250MHz 3.3V ±7ppm
530FC250M000DG Silicon振荡器 Si530 250MHz 2.5V ±7ppm
530BC312M500DG Silicon振荡器 Si530 312.5MHz 3.3V ±7ppm
531BC312M500DG Silicon Crystal Si531 312.5MHz 3.3V ±7ppm
530FC50M0000DG Silicon振荡器 Si530 50MHz 2.5V ±7ppm
535AB125M000DG Silicon振荡器 Si535 125MHz 3.3V ±20ppm
501AAA27M0000DAF Silicon振荡器 Si501 27MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±50ppm
501AAA27M0000DAG Silicon振荡器 Si501 27MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±50ppm
501JCA100M000CAG Silicon振荡器 Si501 100MHz 3.3V ±20ppm
501JCA100M000BAG Silicon振荡器 Si501 100MHz 3.3V ±20ppm
501HCAM032768BAF Silicon振荡器 Si501 32.768kHz 1.7 V ~ 3.6 V ±20ppm
501BCAM032768DAG Silicon振荡器 Si501 32.768kHz 3.3V ±20ppm
501JCAM032768DAG Silicon振荡器 Si501 32.768kHz 3.3V ±20ppm
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