535BB156M250DG,Si535,7050mm,156.25MHz,Silicon差分晶振

当前位置：首页 » 欧美晶振 » Silicon晶振 » 535BB156M250DG,Si535,7050mm,156.25MHz,Silicon差分晶振

prevnext

535BB156M250DG,Si535,7050mm,156.25MHz,Silicon差分晶振

频率：156.250MHz

尺寸：7.0x5.0mm

订购热线：86-0755-27838351

535BB156M250DG,Si535,7050mm,156.25MHz,Silicon差分晶振，美国进口晶振，Silicon品牌晶振，型号：Si535，编码为：535BB156M250DG，频率为：156.250MHz，电压：3.3V，LVDS输出差分晶振，温度稳定性：±20ppm，工作温度范围：-40℃至+85℃，小体积晶振尺寸：7.0x5.0mm封装，六脚贴片晶振，有源晶振，石英晶振，差分晶体振荡器。应用程序：10/40/100G数据中心，10G以太网，交换机/路由器，光纤通道/SAS/存储，企业服务器，网络，电信，光模块，无线网络等应用。
Si535 XO利用天空解决方案的先进DSPLL®电路提供一个高速差分频率的超低抖动时钟。与传统的XO不同，每个输出频率都需要一个不同的晶体，而Si535石英晶振使用一个固定的晶体来提供一个大范围的输出频率。这种基于集成电路的方法允许晶体谐振器提供特殊的频率稳定性和可靠性。此外，DSPLL时钟合成提供了优越的电源噪声抑制，简化了在通信系统中通常发现的噪声环境中产生低抖动时钟的任务。基于Si535 IC的XO在装运时被工厂编程，从而消除了与自定义振荡器相关的长时间的前置时间。

535BB156M250DG,Si535,7050mm,156.25MHz,Silicon差分晶振,产品特点：

可选频率从100 MHz到312.5MHz
具有卓越抖动性能和高功率电源噪声抑制的第三代DSPLL®
频率稳定性是SAW振荡器的3倍
可提供LVPECL和LVDS输出有源晶振
3.3V和2.5V电源选项，行业标准5 x 7mm封装和引脚
无铅/符合RoHS

535BB156M250DG,Si535,7050mm,156.25MHz,Silicon差分晶振,参数表

Parameter

Symbol

Test Condition

Min

Typ

Max

Unit

Nominal Frequency1

LVPECL/LVDS

156.250

MHz

Initial Accuracy

Measured at +25 °C at time of
shipping

—

±1.5

—

ppm

Temperature Stability1,2

–7
–20

—
—

+7
+20

ppm

Aging

Frequency drift over first year

±3

ppm

Frequency drift over 20 year
life

—

±10

ppm

Total Stability2

Temp stability = ±20 ppm

—

±31.5

ppm

Temp stability = ±7 ppm

—

Powerup Time3

tOSC

TA = –40°C — +85°C

535BB156M250DG,Si535,7050mm,156.25MHz,Silicon差分晶振,尺寸图

石英晶体振荡器	品牌	型号	频率	电压	频率稳定度	包装/封装
535FB125M000DG	Silicon晶振	Si535	125MHz	2.5V	±20ppm	6-SMD, No Lead
SI50122-A4-GM	Silicon晶振	SI50122-A4	100MHz	2.25 V ~ 3.63 V	+100ppm	10-VFDFN
536BB156M250DG	Silicon晶振	Si536	156.25MHz	3.3V	±20ppm	6-SMD, No Lead
536FB156M250DG	Silicon晶振	Si536	156.25MHz	2.5V	±20ppm	6-SMD, No Lead
536AB156M250DG	Silicon晶振	Si536	156.25MHz	3.3V	±20ppm	6-SMD, No Lead
536EB156M250DG	Silicon晶振	Si536	156.25MHz	2.5V	±20ppm	6-SMD, No Lead
536BB125M000DG	Silicon晶振	Si536	125MHz	3.3V	±20ppm	6-SMD, No Lead
536AB125M000DG	Silicon晶振	Si536	125MHz	3.3V	±20ppm	6-SMD, No Lead
535EB125M000DG	Silicon晶振	Si535	125MHz	2.5V	±20ppm	6-SMD, No Lead
536EB125M000DG	Silicon晶振	Si536	125MHz	2.5V	±20ppm	6-SMD, No Lead
535BB125M000DG	Silicon晶振	Si535	125MHz	3.3V	±20ppm	6-SMD, No Lead
535BB156M250DG	Silicon晶振	Si535	156.25MHz	3.3V	±20ppm	6-SMD, No Lead
535FB156M250DG	Silicon晶振	Si535	156.25MHz	2.5V	±20ppm	6-SMD, No Lead
535AB125M000DG	Silicon晶振	Si535	125MHz	3.3V	±20ppm	6-SMD, No Lead
SI50122-A1-GM	Silicon晶振	SI50122-A1	100MHz	2.25 V ~ 3.63 V	+100ppm	10-VFDFN
SI50122-A2-GM	Silicon晶振	SI50122-A2	100MHz	2.25 V ~ 3.63 V	+100ppm	10-VFDFN
535AB156M250DG	Silicon晶振	Si535	156.25MHz	3.3V	±20ppm	6-SMD, No Lead
536FB125M000DG	贴片晶振	Si536	125MHz	2.5V	±20ppm	6-SMD, No Lead
535EB156M250DG	Silicon晶振	Si535	156.25MHz	2.5V	±20ppm	6-SMD, No Lead
500DLAA125M000ACF	Silicon晶振	Si500D	125MHz	2.5V	±150ppm	6-SMD, No Lead
500DLAA200M000ACF	Silicon晶振	Si500D	200MHz	2.5V	±150ppm	6-SMD, No Lead
590AB70M6560DG	Silicon晶振	Si590	70.656MHz	3.3V	±25ppm	6-SMD, No Lead
590FA200M000DG	Silicon晶振	Si590	200MHz	2.5V	±50ppm	6-SMD, No Lead
590DA156M250DG	Silicon晶振	Si590	156.25MHz	3.3V	±50ppm	6-SMD, No Lead
591BB300M000DG	Silicon晶振	Si591	300MHz	3.3V	±25ppm	6-SMD, No Lead
550CD74M2500DGR	Silicon晶振	Si550	74.25MHz	3.3V	±50ppm	6-SMD, No Lead
514GBB000118AAG	Silicon晶振	Si514	156.25MHz	2.5V	±25ppm	6-SMD, No Lead
550AE100M000DGR	Silicon晶振	Si550	100MHz	3.3V	±20ppm	6-SMD, No Lead
550AE100M000DG	Silicon晶振	Si550	100MHz	3.3V	±20ppm	6-SMD, No Lead
SI50122-A3-GM	Silicon晶振	SI50122-A3	100MHz	2.25 V ~ 3.63 V	+100ppm	10-VFDFN
SI50122-A5-GM	Silicon晶振	SI50122-A5	100MHz	2.25 V ~ 3.63 V	+100ppm	10-VFDFN
SI50122-A6-GM	Silicon晶振	SI50122-A6	100MHz	2.25 V ~ 3.63 V	+100ppm	10-VFDFN
SI50122-A1-GMR	Silicon晶振	SI50122-A1	100MHz	2.25 V ~ 3.63 V	+100ppm	10-VFDFN
SI50122-A2-GMR	Silicon晶振	SI50122-A2	100MHz	2.25 V ~ 3.63 V	+100ppm	10-VFDFN
SI50122-A3-GMR	Silicon晶振	SI50122-A3	100MHz	2.25 V ~ 3.63 V	+100ppm	10-VFDFN
SI50122-A4-GMR	Silicon晶振	SI50122-A4	100MHz	2.25 V ~ 3.63 V	+100ppm	10-VFDFN
SI50122-A5-GMR	Silicon晶振	SI50122-A5	100MHz	2.25 V ~ 3.63 V	+100ppm	10-VFDFN
SI50122-A6-GMR	Silicon晶振	SI50122-A6	100MHz	2.25 V ~ 3.63 V	+100ppm	10-VFDFN

深圳市康华尔电子有限公司

QQ联系: 632862232

服务热线: 138-2330-0879

电话: 86-0755-27838351

邮箱: konuaer@163.com

传真: +86-0755-27883106

公司地址: 广东深圳市宝安宝安大道东95号浙商银行大厦1905

535BB156M250DG Si535 7050mm 156.25MHz Silicon差分晶振

采购：535BB156M250DG,Si535,7050mm,156.25MHz,Silicon差分晶振

*联系人：
*手机：
公司名称：
邮箱：
电话：
地址：
*采购意向：
*验证码：

跟此产品相关的产品 / Related Products

: VCXO-7A晶振,VCXO压控晶振,进口有源晶振,CORE晶振; VCXO-7A晶振,VCXO压控晶振,进口有源晶振,CORE晶振，高品质石英晶振，SMD贴片晶体，进口压控振荡器，CMOS输出晶振，四脚贴片晶振，编码型号为：VCXO-7A，频率：40 MHz，频率稳定为：±30ppm，电源电压为：5V，工作温度范围：-10℃至+60℃，晶振体积尺寸为：7.0x5.0mm，进口贴片晶振，小型石英晶体振荡器，科尔晶振，有源晶体振荡器，贴片石英晶振，低抖动有源晶振，低相噪相控石英晶体，四脚SMD金属面贴片晶振，具备高可靠的环保性能，符合ROHS标准，产品被广泛应用于笔记本电脑晶振，数码相机晶振等产品。

: AGTCO-ST5032晶体,ARGO电子,温补石英晶振,有源晶体振荡器; AGTCO-ST5032晶体,ARGO电子,温补石英晶振,有源晶体振荡器，有源晶振，高品质石英晶振，温补补偿晶体振荡器，四脚贴片晶振，编码为： AGTCO-ST5032，频率：10MHz，频率公差性：±0.5ppm，电源电压为：3.3V，工作温度范围：-30℃至+85℃，小体积晶振尺寸：5.0x3.2mm，HCMOS输出晶体，SMD贴片晶振，有源晶体振荡器，该晶振产品为5032mm体积的温补晶振(TCXO)产品本身带温度补偿作用的晶体振荡器，最适合于GPS,以及卫星通讯系统和智能电话等多用途的高稳定的频率温度特性晶振。

: ARGO雅士博晶振,AGXO-S7050晶振,石英晶振,有源晶振; ARGO雅士博晶振,AGXO-S7050晶振,石英晶振,有源晶振，高精度有源晶振，低差损石英晶体，四脚贴片晶振，有源石英晶体，台产有源石英晶振，编码型号为：AGXO-S7050，频率：50 MHz，频率公差为：±20ppm，电源电压为：3V，工作温度范围：0℃至+70℃，晶振体积尺寸为：7.0x5.0mm，台产石英晶体，高品质石英晶振，有源晶体振荡器，ARGO晶振，该晶振产品具有轻薄小型，耐环境特性，耐高温性和耐冲击性等优势，本省可发挥优良的电气特性，满足无铅焊接的高温回流温度曲线要求，符合欧盟ROHS环保标准。