86-0755-27838351
频率:156.25MHZ
尺寸:7.00mmx5.00mm
Silicon晶体振荡器\530EC156M250DG\Si530欧美晶体\6G无线网络晶振,尺寸7.00mmx5.00mm,频率156.25MHZ,支持输出LVPECL,XO时钟振荡器(标准),电压 2.5V,脚位6-SMD,六脚贴片晶振,有源晶振,有源贴片晶振,LVPECL输出晶振,差分晶振LV-PECL,贴片差分晶振,差分晶体振荡器,低电压差分晶振,低功耗差分晶振,低相位差分晶振,低抖动差分晶振,网络应用差分晶振,高清视频差分晶振,测试测量专用差分晶振,具有低抖动低电压的特点,产品十分适合用于SONET/SDH,网络 标清/高清视频,测试和测量,时钟和数据恢复,FPGA/ASIC时钟生成等领域。
基于Si530/531 IC的XO有源晶体振荡器可在工厂进行配置对于包括频率、电源电压、电源电压等的各种各样的用户规范,输出格式和温度稳定性。具体配置为出厂配置在装运时进行编程,从而消除长交付周期与定制振荡器相关。Silicon晶体振荡器\530EC156M250DG\Si530欧美晶体\6G无线网络晶振.
Silicon晶体振荡器\530EC156M250DG\Si530欧美晶体\6G无线网络晶振,尺寸7.00mmx5.00mm,频率156.25MHZ,支持输出LVPECL,XO时钟振荡器(标准),电压 2.5V,脚位6-SMD,六脚贴片晶振,有源晶振,有源贴片晶振,LVPECL输出晶振,差分晶振LV-PECL,贴片差分晶振,差分晶体振荡器,低电压差分晶振,低功耗差分晶振,低相位差分晶振,低抖动差分晶振,网络应用差分晶振,高清视频差分晶振,测试测量专用差分晶振,具有低抖动低电压的特点,产品十分适合用于SONET/SDH,网络 标清/高清视频,测试和测量,时钟和数据恢复,FPGA/ASIC时钟生成等领域。
基于Si530/531 IC的XO有源晶体振荡器可在工厂进行配置对于包括频率、电源电压、电源电压等的各种各样的用户规范,输出格式和温度稳定性。具体配置为出厂配置在装运时进行编程,从而消除长交付周期与定制振荡器相关。Silicon晶体振荡器\530EC156M250DG\Si530欧美晶体\6G无线网络晶振.
Silicon晶体振荡器\530EC156M250DG\Si530欧美晶体\6G无线网络晶振 参数表
Parameter | Symbol | Test Condition | Min | Typ | Max | Unit | ||||||||||||||||||
Supply Voltage1 | V DD | 3.3 V option | 2.97 | 3.3 | 3.63 | V | ||||||||||||||||||
2.5 V option | 2.25 | 2.5 | 2.75 | V | ||||||||||||||||||||
1.8 V option | 1.71 | 1.8 | 1.89 | V | ||||||||||||||||||||
Supply Current | IDD |
Output enabled LVPECL CML LVDS CMOS |
— — — — |
111 99 90 81 |
121 108 98 88 |
mA | ||||||||||||||||||
Tristate mode | — | 60 | 75 | mA | ||||||||||||||||||||
Output Enable (OE)2 | VIH | 0.75 x V DD | — | — | V | |||||||||||||||||||
VIL | — | — | 0.5 | V | ||||||||||||||||||||
Operating Temperature Range | TA | –40 | — | 85 | ºC |
Parameter | Symbol | Test Condition | Min | Typ | Max | Unit | ||||||||||||||||||
Nominal Frequency1,2 | fO | LVPECL/LVDS/CML | 10 | — | 945 | MHz | ||||||||||||||||||
CMOS | 10 | — | 160 | MHz | ||||||||||||||||||||
Initial Accuracy | fi |
Measured at +25 °C at time of shipping |
— | ±1.5 | — | ppm | ||||||||||||||||||
Temperature Stability1,3 |
–7 –20 –50 |
— |
+7 +20 +50 |
ppm | ||||||||||||||||||||
Aging | fa | Frequency drift over first year | — | — | ±3 | ppm | ||||||||||||||||||
Frequency drift over 20 year life |
— | — | ±10 | ppm |
Parameter | Symbol | Test Condition | Min | Typ | Max | Unit | ||||||||||||||||||
Total Stability | Temp stability = ±7 ppm | — | — | ±20 | ppm | |||||||||||||||||||
Temp stability = ±20 ppm | — | — | ±31.5 | ppm | ||||||||||||||||||||
Temp stability = ±50 ppm | ±61.5 | ppm | ||||||||||||||||||||||
Powerup Time4 | tOSC | 10 | ms |
Parameter | Symbol | Test Condition | Min | Typ | Max | Unit | ||||||||||||||||||
LVPECL Output Option1 | VO | mid-level | V DD – 1.42 | — | V DD – 1.25 | V | ||||||||||||||||||
VOD | swing (diff) | 1.1 | — | 1.9 | VPP | |||||||||||||||||||
VSE | swing (single-ended) | 0.55 | — | 0.95 | VPP | |||||||||||||||||||
LVDS Output Option2 | VO | mid-level | 1.125 | 1.20 | 1.275 | V | ||||||||||||||||||
VOD | swing (diff) | 0.5 | 0.7 | 0.9 | VPP | |||||||||||||||||||
CML Output Option2 | VO | 2.5/3.3 V option mid-level | V DD – 1.30 | V | ||||||||||||||||||||
1.8 V option mid-level | V DD – 0.36 | V | ||||||||||||||||||||||
VOD | 2.5/3.3 V option swing (diff) | 1.10 | 1.50 | 1.90 | VPP | |||||||||||||||||||
1.8 V option swing (diff) | 0.35 | 0.425 | 0.50 | VPP | ||||||||||||||||||||
CMOS Output Option3 | V OH | I OH= 32 mA | 0.8 x V DD | V DD | V | |||||||||||||||||||
VOL | I OL= 32 mA | 0.4 | V | |||||||||||||||||||||
Rise/Fall time (20/80%) | tR,t F | LVPECL/LVDS/CML | 350 | ps | ||||||||||||||||||||
CMOS with CL= 15 pF | 1 | ns | ||||||||||||||||||||||
Symmetry (duty cycle) | SYM |
LVPECL: (diff) LVDS: CMOS: |
V DD – 1.3 V 1.25 V (diff) V DD/2 |
45 | 55 | % |
OSC晶振产品特性:
可用于任何速率的输出
频率从10兆赫到945兆赫
并选择1.4 GHz的频率
集成superior的第三代DSPLL 抖动性能
频率稳定性比高3倍
基于SAW的振荡器
内部固定晶振频率
确保高可靠性和低老化
可用的CMOS、LVPECL、 LVDS和CML输出 3.3、2.5和1.8 V电源选项
行业标准5 x 7毫米
封装和引脚排列
更多相关美国Silicon晶振型号
欧美晶振原厂代码
Manufacturer品牌
Series型号
Frequency 频率
Voltage - Supply电压
Frequency Stability频率稳定度
531EC155M520DG
Silicon振荡器
Si531
155.52MHz
2.5V
±7ppm
530EC187M500DG
Silicon振荡器
Si530
187.5MHz
2.5V
±7ppm
531AC187M500DG
Silicon振荡器
Si531
187.5MHz
3.3V
±7ppm
531EC187M500DG
Silicon振荡器
Si531
187.5MHz
2.5V
±7ppm
530AC000110DG
Silicon振荡器
Si530
148.35165MHz
3.3V
±7ppm
530AC148M500DG
Silicon振荡器
Si530
148.5MHz
3.3V
±7ppm
530EC000110DG
Silicon振荡器
Si530
148.35165MHz
2.5V
±7ppm
530FC000110DG
Silicon振荡器
Si530
148.35165MHz
2.5V
±7ppm
531EC000110DG
Silicon振荡器
Si531
148.35165MHz
2.5V
±7ppm
531EC148M500DG
Silicon振荡器
Si531
148.5MHz
2.5V
±7ppm
530BC155M520DG
Silicon振荡器
Si530
155.52MHz
3.3V
±7ppm
530EC156M250DG
Silicon振荡器
Si530
156.25MHz
2.5V
±7ppm
530AC187M500DG
Silicon振荡器
Si530
187.5MHz
3.3V
±7ppm
530BC187M500DG
Silicon振荡器
Si530
187.5MHz
3.3V
±7ppm
530FC187M500DG
Silicon振荡器
Si530
187.5MHz
2.5V
±7ppm
530EC148M500DG
Silicon振荡器
Si530
148.5MHz
2.5V
±7ppm
530EC200M000DG
Silicon振荡器
Si530
200MHz
2.5V
±7ppm
531FC155M520DG
Silicon振荡器
Si531
155.52MHz
2.5V
±7ppm
531EC156M250DG
Silicon振荡器
Si531
156.25MHz
2.5V
±7ppm
530FC155M520DG
Silicon振荡器
Si530
155.52MHz
2.5V
±7ppm
530BC000110DG
Silicon振荡器
Si530
148.35165MHz
3.3V
±7ppm
530FC148M500DG
Silicon振荡器
Si530
148.5MHz
2.5V
±7ppm
536AB125M000DG
Silicon振荡器
Si536
125MHz
3.3V
±20ppm
535EB125M000DG
Silicon振荡器
Si535
125MHz
2.5V
±20ppm
536EB125M000DG
Silicon振荡器
Si536
125MHz
2.5V
±20ppm
535BB125M000DG
Silicon振荡器
Si535
125MHz
3.3V
±20ppm
535BB156M250DG
Silicon振荡器
Si535
156.25MHz
3.3V
±20ppm
535FB156M250DG
Silicon振荡器
Si535
156.25MHz
2.5V
±20ppm
530EC312M500DG
Silicon振荡器
Si530
312.5MHz
2.5V
±7ppm
530BC250M000DG
Silicon晶振
Si530
250MHz
3.3V
±7ppm
530EC311M040DG
Silicon振荡器
Si530
311.04MHz
2.5V
±7ppm
530FC311M040DG
Silicon振荡器
Si530
311.04MHz
2.5V
±7ppm
530FC622M080DG
Silicon振荡器
Si530
622.08MHz
2.5V
±7ppm
531AC311M040DG
Silicon振荡器
Si531
311.04MHz
3.3V
±7ppm
531BC311M040DG
Silicon振荡器
Si531
311.04MHz
3.3V
±7ppm
531EC311M040DG
Silicon振荡器
Si531
311.04MHz
2.5V
±7ppm
531EC622M080DG
Silicon振荡器
Si531
622.08MHz
2.5V
±7ppm
531FC622M080DG
Silicon振荡器
Si531
622.08MHz
2.5V
±7ppm
531FC311M040DG
Silicon振荡器
Si531
311.04MHz
2.5V
±7ppm
530BC311M040DG
Silicon振荡器
Si530
311.04MHz
3.3V
±7ppm
531BC622M080DG
Silicon振荡器
Si531
622.08MHz
3.3V
±7ppm
531FC312M500DG
Silicon振荡器
Si531
312.5MHz
2.5V
±7ppm
530EC622M080DG
Silicon振荡器
Si530
622.08MHz
2.5V
±7ppm
531EC312M500DG
Silicon振荡器
Si531
312.5MHz
2.5V
±7ppm
530BC622M080DG
Silicon振荡器
Si530
622.08MHz
3.3V
±7ppm
531AC250M000DG
Silicon振荡器
Si531
250MHz
3.3V
±7ppm
530AC311M040DG
Silicon振荡器
Si530
311.04MHz
3.3V
±7ppm
530FC312M500DG
Silicon振荡器
Si530
312.5MHz
2.5V
±7ppm
531EC250M000DG
Silicon振荡器
Si531
250MHz
2.5V
±7ppm
530AC312M500DG
Silicon振荡器
Si530
312.5MHz
3.3V
±7ppm
530EC250M000DG
Silicon振荡器
Si530
250MHz
2.5V
±7ppm
530AC250M000DG
Silicon振荡器
Si530
250MHz
3.3V
±7ppm
530FC250M000DG
Silicon振荡器
Si530
250MHz
2.5V
±7ppm
530BC312M500DG
Silicon振荡器
Si530
312.5MHz
3.3V
±7ppm
531BC312M500DG
Silicon振荡器
Si531
312.5MHz
3.3V
±7ppm
530FC50M0000DG
Silicon振荡器
Si530
50MHz
2.5V
±7ppm
535AB125M000DG
Silicon振荡器
Si535
125MHz
3.3V
±20ppm
Si591视听设备晶振,591BC200M000DG,思佳讯SMD差分晶振,尺寸7.0x5.0mm,频率200MHZ,输出逻辑LVDS,电压3.3V,频率稳定性20ppm,Skyworks差分晶振,思佳讯LVDS有源振荡器,六脚差分振荡器,贴片差分晶振,7050mm差分晶振,有源差分振荡器,差分晶振LVDS,差分晶体振荡器,石英差分振荡器,低电压差分晶振,低耗能差分晶振,高精度差分晶振,高频差分振荡器,低损耗差分振荡器,低抖动差分晶振,低功耗差分晶振,低相位差分晶振,低相噪差分晶振,视听设备差分晶振,北斗导航差分晶振,仪器仪表差分晶振,无线模块专用差分晶振,测试测量差分晶振,交换机差分晶振,卫星通信专用差分晶振,具有低抖动低相位的特点。
贴片差分晶振产品比较适合用于视听设备,北斗导航,仪器仪表,无线模块,测试测量,交换机,卫星通信等领域.Si591视听设备晶振,591BC200M000DG,思佳讯SMD差分晶振.
电话:+86-0755-27838351
手机:13823300879
QQ:632862232
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