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Silicon晶体振荡器\530EC156M250DG\Si530欧美晶体\6G无线网络晶振

频率:156.25MHZ

尺寸:7.00mmx5.00mm

Silicon晶体振荡器\530EC156M250DG\Si530欧美晶体\6G无线网络晶振,尺寸7.00mmx5.00mm,频率156.25MHZ,支持输出LVPECL,XO时钟振荡器(标准),电压 2.5V,脚位6-SMD,六脚贴片晶振,有源晶振,有源贴片晶振,LVPECL输出晶振,差分晶振LV-PECL,贴片差分晶振,差分晶体振荡器,低电压差分晶振,低功耗差分晶振,低相位差分晶振,低抖动差分晶振,网络应用差分晶振,高清视频差分晶振,测试测量专用差分晶振,具有低抖动低电压的特点,产品十分适合用于SONET/SDH,网络 标清/高清视频,测试和测量,时钟和数据恢复,FPGA/ASIC时钟生成等领域。

基于Si530/531 IC的XO有源晶体振荡器可在工厂进行配置对于包括频率、电源电压、电源电压等的各种各样的用户规范,输出格式和温度稳定性。具体配置为出厂配置在装运时进行编程,从而消除长交付周期与定制振荡器相关。Silicon晶体振荡器\530EC156M250DG\Si530欧美晶体\6G无线网络晶振.




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Silicon晶体振荡器\530EC156M250DG\Si530欧美晶体\6G无线网络晶振,尺寸7.00mmx5.00mm,频率156.25MHZ,支持输出LVPECL,XO时钟振荡器(标准),电压 2.5V,脚位6-SMD,六脚贴片晶振,有源晶振,有源贴片晶振,LVPECL输出晶振,差分晶振LV-PECL,贴片差分晶振,差分晶体振荡器,低电压差分晶振,低功耗差分晶振,低相位差分晶振,低抖动差分晶振,网络应用差分晶振,高清视频差分晶振,测试测量专用差分晶振,具有低抖动低电压的特点,产品十分适合用于SONET/SDH,网络 标清/高清视频,测试和测量,时钟和数据恢复,FPGA/ASIC时钟生成等领域。

基于Si530/531 IC的XO有源晶体振荡器可在工厂进行配置对于包括频率、电源电压、电源电压等的各种各样的用户规范,输出格式和温度稳定性。具体配置为出厂配置在装运时进行编程,从而消除长交付周期与定制振荡器相关。Silicon晶体振荡器\530EC156M250DG\Si530欧美晶体\6G无线网络晶振.

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Silicon晶体振荡器\530EC156M250DG\Si530欧美晶体\6G无线网络晶振      参数表

Parameter Symbol Test Condition Min Typ Max Unit
Supply Voltage1 V DD 3.3 V option 2.97 3.3 3.63 V
2.5 V option 2.25 2.5 2.75 V
1.8 V option 1.71 1.8 1.89 V
Supply Current IDD Output enabled
LVPECL
CML
LVDS
CMOS



111
99
90
81
121
108
98
88
mA
Tristate mode 60 75 mA
Output Enable (OE)2 VIH 0.75 x V DD V
VIL 0.5 V
Operating Temperature Range TA –40 85 ºC
Parameter Symbol Test Condition Min Typ Max Unit
Nominal Frequency1,2 fO LVPECL/LVDS/CML 10 945 MHz
CMOS 10 160 MHz
Initial Accuracy fi Measured at +25 °C at time of
shipping
±1.5 ppm
Temperature Stability1,3 –7
–20
–50
  
  
+7
+20
+50
ppm
Aging fa Frequency drift over first year ±3 ppm
Frequency drift over 20 year
life
±10 ppm
Parameter Symbol Test Condition Min Typ Max Unit
Total Stability Temp stability = ±7 ppm ±20 ppm
Temp stability = ±20 ppm ±31.5 ppm
Temp stability = ±50 ppm         ±61.5 ppm
Powerup Time4 tOSC         10 ms
Parameter Symbol Test Condition Min Typ Max Unit
LVPECL Output Option1 VO mid-level V DD – 1.42 V DD – 1.25 V
VOD swing (diff) 1.1 1.9 VPP
VSE swing (single-ended) 0.55 0.95 VPP
LVDS Output Option2 VO mid-level 1.125 1.20 1.275 V
VOD swing (diff) 0.5 0.7 0.9 VPP
CML Output Option2 VO 2.5/3.3 V option mid-level     V DD – 1.30     V
1.8 V option mid-level     V DD – 0.36     V
VOD 2.5/3.3 V option swing (diff) 1.10 1.50 1.90 VPP
1.8 V option swing (diff) 0.35 0.425 0.50 VPP
CMOS Output Option3 V OH I OH= 32 mA 0.8 x V DD     V DD V
VOL I OL= 32 mA         0.4 V
Rise/Fall time (20/80%) tR,t F LVPECL/LVDS/CML         350 ps
CMOS with CL= 15 pF     1     ns
Symmetry (duty cycle) SYM LVPECL:
(diff)
LVDS:
CMOS:
V DD – 1.3 V

1.25 V (diff)
V DD/2
45     55 %
3Silicon晶体振荡器\530EC156M250DG\Si530欧美晶体\6G无线网络晶振      尺寸图Si530 Si531

OSC晶振产品特性:

可用于任何速率的输出

频率从10兆赫到945兆赫

并选择1.4 GHz的频率

集成superior的第三代DSPLL 抖动性能

频率稳定性比高3倍

基于SAW的振荡器

内部固定晶振频率

确保高可靠性和低老化

可用的CMOS、LVPECL、 LVDS和CML输出 3.3、2.5和1.8 V电源选项

行业标准5 x 7毫米

封装和引脚排列

无铅/符合RoHS标准Si530 Si531 1 Si530 Si531 2

更多相关美国Silicon晶振型号

欧美晶振原厂代码 Manufacturer品牌 Series型号 Frequency 频率 Voltage - Supply电压 Frequency Stability频率稳定度
531EC155M520DG Silicon振荡器 Si531 155.52MHz 2.5V ±7ppm
530EC187M500DG Silicon振荡器 Si530 187.5MHz 2.5V ±7ppm
531AC187M500DG Silicon振荡器 Si531 187.5MHz 3.3V ±7ppm
531EC187M500DG Silicon振荡器 Si531 187.5MHz 2.5V ±7ppm
530AC000110DG Silicon振荡器 Si530 148.35165MHz 3.3V ±7ppm
530AC148M500DG Silicon振荡器 Si530 148.5MHz 3.3V ±7ppm
530EC000110DG Silicon振荡器 Si530 148.35165MHz 2.5V ±7ppm
530FC000110DG Silicon振荡器 Si530 148.35165MHz 2.5V ±7ppm
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531EC148M500DG Silicon振荡器 Si531 148.5MHz 2.5V ±7ppm
530BC155M520DG Silicon振荡器 Si530 155.52MHz 3.3V ±7ppm
530EC156M250DG Silicon振荡器 Si530 156.25MHz 2.5V ±7ppm
530AC187M500DG Silicon振荡器 Si530 187.5MHz 3.3V ±7ppm
530BC187M500DG Silicon振荡器 Si530 187.5MHz 3.3V ±7ppm
530FC187M500DG Silicon振荡器 Si530 187.5MHz 2.5V ±7ppm
530EC148M500DG Silicon振荡器 Si530 148.5MHz 2.5V ±7ppm
530EC200M000DG Silicon振荡器 Si530 200MHz 2.5V ±7ppm
531FC155M520DG Silicon振荡器 Si531 155.52MHz 2.5V ±7ppm
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530FC155M520DG Silicon振荡器 Si530 155.52MHz 2.5V ±7ppm
530BC000110DG Silicon振荡器 Si530 148.35165MHz 3.3V ±7ppm
530FC148M500DG Silicon振荡器 Si530 148.5MHz 2.5V ±7ppm
536AB125M000DG Silicon振荡器 Si536 125MHz 3.3V ±20ppm
535EB125M000DG Silicon振荡器 Si535 125MHz 2.5V ±20ppm
536EB125M000DG Silicon振荡器 Si536 125MHz 2.5V ±20ppm
535BB125M000DG Silicon振荡器 Si535 125MHz 3.3V ±20ppm
535BB156M250DG Silicon振荡器 Si535 156.25MHz 3.3V ±20ppm
535FB156M250DG Silicon振荡器 Si535 156.25MHz 2.5V ±20ppm
530EC312M500DG Silicon振荡器 Si530 312.5MHz 2.5V ±7ppm
530BC250M000DG Silicon晶振 Si530 250MHz 3.3V ±7ppm
530EC311M040DG Silicon振荡器 Si530 311.04MHz 2.5V ±7ppm
530FC311M040DG Silicon振荡器 Si530 311.04MHz 2.5V ±7ppm
530FC622M080DG Silicon振荡器 Si530 622.08MHz 2.5V ±7ppm
531AC311M040DG Silicon振荡器 Si531 311.04MHz 3.3V ±7ppm
531BC311M040DG Silicon振荡器 Si531 311.04MHz 3.3V ±7ppm
531EC311M040DG Silicon振荡器 Si531 311.04MHz 2.5V ±7ppm
531EC622M080DG Silicon振荡器 Si531 622.08MHz 2.5V ±7ppm
531FC622M080DG Silicon振荡器 Si531 622.08MHz 2.5V ±7ppm
531FC311M040DG Silicon振荡器 Si531 311.04MHz 2.5V ±7ppm
530BC311M040DG Silicon振荡器 Si530 311.04MHz 3.3V ±7ppm
531BC622M080DG Silicon振荡器 Si531 622.08MHz 3.3V ±7ppm
531FC312M500DG Silicon振荡器 Si531 312.5MHz 2.5V ±7ppm
530EC622M080DG Silicon振荡器 Si530 622.08MHz 2.5V ±7ppm
531EC312M500DG Silicon振荡器 Si531 312.5MHz 2.5V ±7ppm
530BC622M080DG Silicon振荡器 Si530 622.08MHz 3.3V ±7ppm
531AC250M000DG Silicon振荡器 Si531 250MHz 3.3V ±7ppm
530AC311M040DG Silicon振荡器 Si530 311.04MHz 3.3V ±7ppm
530FC312M500DG Silicon振荡器 Si530 312.5MHz 2.5V ±7ppm
531EC250M000DG Silicon振荡器 Si531 250MHz 2.5V ±7ppm
530AC312M500DG Silicon振荡器 Si530 312.5MHz 3.3V ±7ppm
530EC250M000DG Silicon振荡器 Si530 250MHz 2.5V ±7ppm
530AC250M000DG Silicon振荡器 Si530 250MHz 3.3V ±7ppm
530FC250M000DG Silicon振荡器 Si530 250MHz 2.5V ±7ppm
530BC312M500DG Silicon振荡器 Si530 312.5MHz 3.3V ±7ppm
531BC312M500DG Silicon振荡器 Si531 312.5MHz 3.3V ±7ppm
530FC50M0000DG Silicon振荡器 Si530 50MHz 2.5V ±7ppm
535AB125M000DG Silicon振荡器 Si535 125MHz 3.3V ±20ppm
5

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