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Silicon振荡器,510ABA125M000BAGSi510差分晶振,6G电信晶振,

频率:125MHZ

尺寸:5.00mmx3.20mm

Silicon振荡器,510ABA125M000BAG,Si510差分晶振,6G电信晶振,尺寸为5.00mmx3.20mm,频率125MHZ,电压为3.3V,频率稳定性25ppm.输出为LVPECL,美国Silicon晶振,差分贴片晶振,LVPECL输出晶振,差分晶体振荡器,石英晶体振荡器,有源贴片晶振,SMD振荡器,低功耗差分振荡器,XO时钟振荡器,低电压晶振,低相噪振荡器,低相位差分晶振,低抖动差分晶振,5032mm有源晶振,产品具有低功耗低抖动低相位的特点。

有源晶振产品主要应用范围十分广泛,主要应用于SONET/SDH/OTN网络,千兆以太网,光纤通道/SAS/SATA,PCI Express总线,3G-SDI/HD-SDI/SDI,电信,交换机/路由器,FPGA/ASIC时钟生成等领域.Silicon振荡器,510ABA125M000BAG,Si510差分晶振,6G电信晶振.


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Silicon振荡器,510ABA125M000BAG,Si510差分晶振,6G电信晶振,尺寸为5.00mmx3.20mm,频率125MHZ,电压为3.3V,频率稳定性25ppm.输出为LVPECL,美国Silicon晶振,差分贴片晶振,LVPECL输出晶振,差分晶体振荡器,石英晶体振荡器,有源贴片晶振,SMD振荡器,低功耗差分振荡器,XO时钟振荡器,低电压晶振,低相噪振荡器,低相位差分晶振,低抖动差分晶振,5032mm有源晶振,产品具有低功耗低抖动低相位的特点。

有源晶振产品主要应用范围十分广泛,主要应用于SONET/SDH/OTN网络,千兆以太网,光纤通道/SAS/SATA,PCI Express总线,3G-SDI/HD-SDI/SDI,电信,交换机/路由器,FPGA/ASIC时钟生成等领域.Silicon振荡器,510ABA125M000BAG,Si510差分晶振,6G电信晶振.2

Silicon振荡器,510ABA125M000BAG,Si510差分晶振,6G电信晶振       参数表

Parameter Symbol Test Condition Min Typ Max Unit
Supply Voltage V DD 3.3 V option 2.97 3.3 3.63 V
2.5 V option 2.25 2.5 2.75 V
1.8 V option 1.71 1.8 1.89 V
Supply Current IDD CMOS, 100 MHz,
single-ended
21 26 mA
LVDS
(output enabled)
19 23 mA
LVPECL
(output enabled)
39 43 mA
HCSL
(output enabled)
41 44 mA
Tristate
(output disabled)
18 mA
OE "1" Setting VIH See Note 0.80 x V DD V
OE "0" Setting VIL See Note 0.20 x V DD V
OE Internal Pull-Up/Pull-
Down Resistor*
RI 45
Operating Temperature TA –40 85 oC
Parameter Symbol Test Condition Min Typ Max Unit
Supply Voltage V DD 3.3 V option 2.97 3.3 3.63 V
2.5 V option 2.25 2.5 2.75 V
1.8 V option 1.71 1.8 1.89 V
Supply Current IDD CMOS, 100 MHz,
single-ended
21 26 mA
LVDS
(output enabled)
19 23 mA
LVPECL
(output enabled)
39 43 mA
HCSL
(output enabled)
41 44 mA
Tristate
(output disabled)
18 mA
OE "1" Setting VIH See Note 0.80 x V DD V
OE "0" Setting VIL See Note 0.20 x V DD V
OE Internal Pull-Up/Pull-
Down Resistor*
RI 45
Operating Temperature TA –40 85 oC
Parameter Symbol Test Condition Min Typ Max Unit
CMOS Output Logic
High
V OH 0.85 x V DD V
CMOS Output Logic
Low
VOL 0.15 x V DD V
CMOS Output Logic
High Drive
I OH 3.3 V –8 mA
2.5 V –6 mA
1.8 V –4 mA
CMOS Output Logic
Low Drive
I OL 3.3 V 8 mA
2.5 V 6 mA
1.8 V 4 mA
CMOS Output Rise/Fall
Time
(20 to 80% V DD)
TR/T F 0.1 to 212.5 MHz,
CL = 15 pF
0.45 0.8 1.2 ns
0.1 to 212.5 MHz,
CL = no load
0.3 0.6 0.9 ns
LVPECL Output
Rise/Fall Time
(20 to 80% VDD)
TR/T F 100 565 ps
HCSL Output Rise/Fall
Time (20 to 80% VDD)
TR/T F 100 470 ps
LVDS Output Rise/Fall
Time (20 to 80% VDD)
TR/T F 350 800 ps
LVPECL Output
Common Mode
VOC 50 Ω to V DD – 2 V,
single-ended
V DD –
1.4 V
V
LVPECL Output Swing VO 50 Ω to V DD – 2 V,
single-ended
0.55 0.8 0.90 VPPSE
LVDS Output Common
Mode
VOC 100 Ω line-line
V DD= 3.3/2.5 V
1.13 1.23 1.33 V
100 Ω line-line, V DD= 1.8 V 0.83 0.92 1.00 V
LVDS Output Swing VO Single-ended, 100 Ω differential
termination
0.25 0.35 0.45 VPPSE
HCSL Output Common
Mode
VOC 50 Ω to ground 0.35 0.38 0.42 V
HCSL Output Swing VO Single-ended 0.58 0.73 0.85 VPPSE
Duty Cycle DC All formats 48 50 52 %
3Silicon振荡器,510ABA125M000BAG,Si510差分晶振,6G电信晶振       尺寸图Si510 Si511

差分晶振产品特性:

支持来自的任何频率100kHz至250MHz

低抖动操作

完全稳定包括10年老化

全面的生产测试

电源噪声滤波 3.3、2.5或1.8V工作电压差异(LVPECL,LVDS, HCSL)或CMOS输出选项

可选集成1:2CMOS扇出缓冲器

行业标准5x7、3.2x5、 和2.5x3.2毫米封装

无铅,符合RoHS标准

–40至85摄氏度操作

Si510 Si511 1Si510 Si511 2

更多相关Silicon晶振型号

Manufacturer Part Number原厂代码 晶振厂家 Series型号 Frequency 频率 Voltage - Supply电压 Frequency Stability频率稳定度
530BA125M000DG Silicon Labs Si530 125MHz 3.3V ±50ppm
531FB125M000DG Silicon Labs Si531 125MHz 2.5V ±20ppm
530BB100M000DG Silicon Labs Si530 100MHz 3.3V ±20ppm
530FC156M250DG Silicon Labs Si530 156.25MHz 2.5V ±7ppm
510ABA125M000BAG Silicon Labs Si510 125MHz 3.3V ±25ppm
511BBA74M2500BAG Silicon Labs Si511 74.25MHz 3.3V ±25ppm
510BBA156M250BAG Silicon Labs Si510 156.25MHz 3.3V ±25ppm
511ABA156M250BAG Silicon Labs Si511 156.25MHz 3.3V ±25ppm
510FBA200M000BAG Silicon Labs Si510 200MHz 2.5V ±25ppm
510ABA200M000BAG Silicon Labs Si510 200MHz 3.3V ±25ppm
530FA156M250DG Silicon Labs Si530 156.25MHz 2.5V ±50ppm
531BC000110DG Silicon Labs Si531 148.35165MHz 3.3V ±7ppm
535FB125M000DG Silicon Labs Si535 125MHz 2.5V ±20ppm
SI50122-A4-GM Silicon Labs SI50122-A4 100MHz 2.25 V ~ 3.63 V +100ppm
511ABA156M250AAGR Silicon Labs Si511 156.25MHz 3.3V ±25ppm
530FC125M000DG Silicon Labs Si530 125MHz 2.5V ±7ppm
531BC200M000DG Silicon Labs Si531 200MHz 3.3V ±7ppm
531BC250M000DG Silicon Labs Si531 250MHz 3.3V ±7ppm
530AC622M080DG Silicon Labs Si530 622.08MHz 3.3V ±7ppm
511FBA100M000BAG Silicon Labs Si511 100MHz 2.5V ±25ppm
511BBA106M250BAG Silicon Labs Si511 106.25MHz 3.3V ±25ppm
510BBA156M250AAG Silicon Labs Si510 156.25MHz 3.3V ±25ppm
510ABA156M250AAG Silicon Labs Si510 156.25MHz 3.3V ±25ppm
531BC125M000DG Silicon Labs Si531 125MHz 3.3V ±7ppm
530AC125M000DG Silicon Labs Si530 125MHz 3.3V ±7ppm
531FB106M250DG Silicon Labs Si531 106.25MHz 2.5V ±20ppm
531AC156M250DG Silicon Labs Si531 156.25MHz 3.3V ±7ppm
531AC200M000DG Silicon Labs Si531 200MHz 3.3V ±7ppm
531BC148M500DG Silicon Labs Si531 148.5MHz 3.3V ±7ppm
530AC200M000DG Silicon Labs Si530 200MHz 3.3V ±7ppm
530BC200M000DG Silicon Labs Si530 200MHz 3.3V ±7ppm
531BC156M250DG Silicon Labs Si531 156.25MHz 3.3V ±7ppm
530FC200M000DG Silicon Labs Si530 200MHz 2.5V ±7ppm
536BB156M250DG Silicon Labs Si536 156.25MHz 3.3V ±20ppm
536FB156M250DG Silicon Labs Si536 156.25MHz 2.5V ±20ppm
536AB156M250DG Silicon Labs Si536 156.25MHz 3.3V ±20ppm
510FBA125M000BAG Silicon Labs Si510 125MHz 2.5V ±25ppm
511BBA000149BAG Silicon Labs Si511 74.175824MHz 3.3V ±25ppm
510FBA100M000BAG Silicon Labs Si510 100MHz 2.5V ±25ppm
511FBA106M250BAG Silicon Labs Si511 106.25MHz 2.5V ±25ppm
510BBA106M250BAG Silicon Labs Si510 106.25MHz 3.3V ±25ppm
511BBA125M000AAG Silicon Labs Si511 125MHz 3.3V ±25ppm
510BBA100M000AAG Silicon Labs Si510 100MHz 3.3V ±25ppm
510BBA125M000AAG Silicon Labs Si510 125MHz 3.3V ±25ppm
511FBA100M000AAG Silicon Labs Si511 100MHz 2.5V ±25ppm
511BBA106M250AAG Silicon Labs Si511 106.25MHz 3.3V ±25ppm
511FBA148M500BAG Silicon Labs Si511 148.5MHz 2.5V ±25ppm
510FBA148M500BAG Silicon Labs Si510 148.5MHz 2.5V ±25ppm
511BBA156M250BAG Silicon晶振 Si511 156.25MHz 3.3V ±25ppm
511FBA156M250BAG Silicon Labs Si511 156.25MHz 2.5V ±25ppm
510BBA148M500BAG Silicon Labs Si510 148.5MHz 3.3V ±25ppm
511BBA156M250AAG Silicon Labs Si511 156.25MHz 3.3V ±25ppm
510FBA156M250AAG Silicon Labs Si510 156.25MHz 2.5V ±25ppm
511ABA155M520AAG Silicon Labs Si511 155.52MHz 3.3V ±25ppm
510FBA148M500AAG Silicon Labs Si510 148.5MHz 2.5V ±25ppm
511BBA155M520AAG Silicon Labs Si511 155.52MHz 3.3V ±25ppm
510BBA148M500AAG Silicon Labs Si510 148.5MHz 3.3V ±25ppm
510ABA148M500AAG Silicon Labs Si510 148.5MHz 3.3V ±25ppm
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DSC1025BI1-125.0000,5032mm有源晶振,Microchip消费电子晶振,美国Microchip晶振,型号:DSC1025系列,编码为:DSC1025BI1-125.0000,频率:125MHz,工作电压:2.5V,工作温度范围:-40℃至+85℃,频率稳定性:±50ppm,小体积晶振尺寸:5.0x3.2mm封装,四脚贴片晶振,低功耗CMOS振荡器,有源晶振,石英晶体振荡器,具有超小型,轻薄型,高品质,高性能,耐热及耐环境等特点。应用程序:移动应用程序,消费类电子产品,便携式电子产品,VTR摄像机的CCD时钟,低配置文件应用程序,工业应用等。
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ABDFTCXO-50.000MHZ-E-2-CT,Abracon晶体振荡器,低功耗晶振
ABDFTCXO-50.000MHZ-E-2-CT,Abracon晶体振荡器,低功耗晶振
ABDFTCXO-50.000MHZ-E-2-CT,Abracon晶体振荡器,低功耗晶振,美国进口晶振,Abracon晶振,艾博康晶振,型号:ABDFTCXO系列,编码为:ABDFTCXO-50.000MHZ-E-2-CT,频率:50MHz,电压:3.3V,频率稳定性:±280ppb,工作温度范围:-20℃至+70℃,LVCMOS输出晶振,TCXO晶体振荡器,小体积晶振尺寸:14.0x9.0x3.0mm封装,10垫脚贴片晶振,石英晶振,有源晶振,石英晶体振荡器。具有低抖动,低功耗,低耗能,低损耗,低电源电压,低电平等特点。应用程序:通信晶振,网络晶振,同步以太网晶振,IEEE1588,仪器晶振、测试和测量晶振,车载控制器晶振等应用。
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