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SiTime32.768K有源晶振,SiT1630AI-H4-DCC-32.768S,WiFi模块6G晶振

频率:32.768KHZ

尺寸:2.0x1.2mm

SiTime32.768K有源晶振,SiT1630AI-H4-DCC-32.768S,WiFi模块6G晶振,尺寸2.0x1.2mm,频率32.768KHZ,可编程有源振荡器,欧美有源晶振,32.768KHZ有源晶振,有源贴片晶振,OSC贴片晶振,SMD振荡器,陶瓷面振荡器,2012mm有源振荡器,工业计时专用晶振,蓝牙模块晶振,WiFi模块专用晶振,工业电池管理晶振,RTC参考时钟专用晶振,低功耗有源晶振,低电压有源晶振,低耗能有源晶振,低相位有源晶振,高质量有源晶振,高性能有源晶振,具有良好的可靠性能。

32.768K晶振产品超级适合用于工业计时,工业电池管理,多点32 kHz时钟分布,蓝牙模块,WiFi模块,RTC参考时钟等领域。SiTime32.768K有源晶振,SiT1630AI-H4-DCC-32.768S,WiFi模块6G晶振.

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SiTime32.768K有源晶振,SiT1630AI-H4-DCC-32.768S,WiFi模块6G晶振         参数表

Parameter Symbol Min. Typ. Max. Unit Condition
Frequency and Stability
Output Frequency Fout 32.768 or
16.384
kHz
Frequency Stability
Initial Tolerance[2] F_init 20 ppm TA = 25°C, post reflow, Vdd: 1.5V – 3.63V.
Frequency Stability Over
Temperature[3]
F_stab 75 ppm TA = - 10°C to +70°C, Vdd: 1.5V – 3.63V.
100 TA = -40°C to +85°C, Vdd: 1.5V – 3.63V.
150 TA = -40°C to +105°C, -55°C to +85C, Vdd: 1.8V – 3.63V.
25°C Aging - 1 1 ppm 1st Year
Supply Voltage and Current Consumption
Operating Supply Voltage Vdd 1.5 3.63 V TA = over temperature
Operating Current 2Idd 1.0

μA
TA = 25°C, Vdd: 1.5V – 3.3V. No load
1.3 TA = - 10°C to +70°C, Vdd max: 3.63V. No load
1.4 TA = -40°C to +85°C, Vdd max: 3.63V. No load
2.80 TA = -40°C to +105°C, Vdd max: 3.63V. No load
Power-Supply Ramp t_Vdd
Ramp
100 ms Over temperature, 0 to 90% Vdd
Start-up Time at Power-up T_start 180 300 ms -40°C ≤ TA ≤ 50°C, valid output
450 -40°C ≤ TA ≤ 85°C, valid output
500 + 1
period
TA = - 55°C and +105°C
Operating Temperature Range
Commercial Temperature T_opn - 10 70 °C Temp code “C” in part number ordering
Industrial Temperature -40 85 Temp code “I” in part number ordering
Extended IndustrialTemperature -40 105 Temp code “E” in part number ordering.
Extended Cold Industrial Temperature -55 85 Temp Code “D” in part number ordering.
Automotive Temperature Range -55 105 ContactSiTimefor Availability
LVCMOS Output, TA= Over Temperature, typical values are at TA= 25°C
Output Rise/Fall Time tr, tf 100 200 ns 10-90%, 15 pF load, Vdd = 1.5V to 3.63V
10-90% (Vdd), 5 pF load, Vdd ≥ 1.62V
Output Clock Duty Cycle DC 48 52 %
Output Voltage High VOH 90% V Vdd: 1.5V – 3.63V. I OH = - 10 μA, 15 pF
Output Voltage Low VOL 10% V Vdd: 1.5V – 3.63V. I OL = 10 μA, 15 pF
Maximum Output Drive 50 pF ≥80% LVCMOSswing, TA = over temperature, Vdd = 1.5V to 3.3V
Period Jitter T_jitt 35 nsRMS Cycles = 10,000, TA= 25°C
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SiTime32.768K有源晶振,SiT1630AI-H4-DCC-32.768S,WiFi模块6G晶振               尺寸图

SiT1630

SiTime32.768K有源晶振,SiT1630AI-H4-DCC-32.768S,WiFi模块6G晶振

有源晶振产品特点:

<20ppm初始公差

<在-40°C至+85°C范围内的100 ppm稳定性

小型SMD封装:2.0 x 1.2 mm(2012)[1]

SOT23-5工业和汽车应用

超低功率:典型值1.0µA

Vdd供电范围:1.5V至3.63V

广泛的工作温度范围选项

内部滤波消除了外部Vdd旁路电容器

无铅,符合RoHS和REACH

SiT1630 1SiT1630 2

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采购:SiTime32.768K有源晶振,SiT1630AI-H4-DCC-32.768S,WiFi模块6G晶振

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