86-0755-27838351
频率:1~200MHZ
尺寸:7.0*5.0mm
希华晶体产品台产晶振应用范围包含行动电话、平板电脑、卫星通讯、车载系统、全球定位系统、个人电脑、无线通信及家用产品等,扮演基本信号源产生、传递、滤波等功能。持续致力于技术研究开发及品质落实扎根,营运据点遍布台湾、中国大陆、日本、新加坡、美国及欧洲等世界各地,使希华得以提供服务予世界电子大厂。
导入先进微机电制程创新研发技术敏锐地掌握石英晶振产品轻薄短小化、快速光电宽频传输与高频通讯的发展主流,致力于开发小型化、高频与光电领域等产品,与日本同业并驾齐驱。且深耕微机电(MEMS)技术领域,加速导入TF SMD Crystal的量产,藉以扩大公司营收规模并且提升获利空间。
希华晶振,有源晶振,SPO-7050B晶振,7050晶振,小型SMD有源晶振,体积的变小也使产品带来了更高的稳定性能,接缝密封石英晶体振荡器,精度高,覆盖频率范围宽的特点,SMD高速自动安装和高温回流焊设计,Optionable待机输出三态输出功能,电源电压范围:1.8V?5 V,高稳定性,低抖动,低功耗,主要应用领域:无线通讯,高端智能手机,平板笔记本WLAN,蓝牙,数码相机,DSL和其他IT产品的晶振应用,三态功能,PC和LCDM等高端数码领域,符合RoHS/无铅.
有源晶振高频振荡器使用IC与晶片设计匹配技术:SMD晶振是高频振荡器研发及生产过程必须要解决的技术难题。在设计过程中除了要考虑石英晶体谐振器具有的电性外,还有石英晶体振荡器的电极设计等其它的特殊性,必须考虑石英晶体振荡器的供应电压、起动电压和产品上升时间、下降时间等相关参数。
项目 |
符号 |
(CMOS)晶振规格说明 |
条件 |
输出频率范围 |
f0 |
1~200MHZ |
请联系我们以便获取其它可用频率的相关信息 |
电源电压 |
VCC |
1.8,3.3V |
请联系我们以了解更多相关信息 |
储存温度 |
T_stg |
-55℃ to +125℃ |
裸存 |
工作温度 |
T_use |
G: -10℃ to +70℃ |
请联系我们查看更多资料 http://www.crystal95.com |
H: -40℃ to +85℃ |
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|
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频率稳定度 |
f_tol |
J: ±30× 10-6 |
|
L: ±50× 10-6 |
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T: ±100× 10-6 |
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功耗 |
ICC |
3.5 mA Max. |
无负载条件、最大工作频率 |
待机电流 |
I_std |
3.3μA Max. |
ST=GND |
占空比 |
SYM |
45 % to 55 % |
50 % VCC 极, L_CMOS≦15 pF |
输出电压 |
VOH |
VCC-0.4V Min. |
|
VOL |
0.4 V Max. |
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|
输出负载条件 |
L_CMOS |
15 pF Max. |
|
输入电压 |
VIH |
80% VCC Max. |
ST 终端 |
VIL |
20 % VCC Max. |
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上升/下降时间 |
tr / tf |
4 ns Max. |
20 % VCC to 80 % VCC 极, L_CMOS=15 pF |
振荡启动时间 |
t_str |
3 ms Max. |
t=0 at 90 % |
频率老化 |
f_aging |
±3 × 10-6 / year Max. |
+25 ℃, 初年度,第一年 |
工业级石英晶体的负载电容与阻抗:负载电容与阻抗设置一个规定的负载阻抗值。当一个值除了规定的一个设置为负载阻抗输出频率和输出电平不会满足时,指定的值这可能会导致问题例如:失真的输出波形。特别是设置电抗,根据规范的负载阻抗。输出频率和输出电平,当测量输出频率或输出水平,晶体振荡器调整的输入阻抗,测量仪器的负载阻抗晶体振荡器。当输入阻抗的测量仪器,不同的负载阻抗的晶体振荡器,测量输出频率或输出水平高,阻抗阻抗测量可以忽略。希华晶振,有源晶振,SPO-7050B晶振,7050晶振
机械处理:当发生外置撞击时,任何在遭到外部撞击时,或者产品不小心跌落时,强烈的外置撞击都将会导致希华贴片晶振损坏,或者频率不稳定现象.不执行任何强烈的冲击石英晶体振荡器。如果一个强大的冲击已经给振荡器确保在使用前检查其特点。
如何正确的使用高精度贴片晶振,电处理:将电源连接到指定的终端,确定正确的极性这目录所示。注意电源的正负电极逆转或者连接到一个终端以,以为外的指定一个产品部分内的石英晶振,假如损坏那将不会工作。此外如果外接电源电压高于晶振的规定电压值,就很可能会导致石英晶振产品损坏。所以外接电压很重要,一定要确保使用正确的额定电压的振荡,但如果电压低于额定的电压值部分产品将会不起振,或者起不到最佳精度。
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