86-0755-27838351
频率:0.750MHZ~800.000MHZ
尺寸:7.0*5.0mm
SHINSUNG晶振,SVC-D-S晶振,SVC-D-S-33ST-30HZ-155.520MHz晶振
SHINSUNG晶振-SHNSUNG Crystal成立于1999年,中文为新松晶振,在当年12月就开始生产OSC,VCXO,TCXO晶振,并于次年完成高频100M压控晶振的目标,是一家专业生产时钟振荡器,主要给用户提供最新的石英晶振,石英晶体振荡器,32.768K晶振,TCXO温补晶振,VCXO压控晶振,有源晶振,无源晶振,石英晶体谐振器,贴片晶振,工业设备晶振等频率元件,数码电子晶振厂家,后期逐渐往小型的Shinsung晶振方向发展。产品外观具有体积小,超轻薄型,耐高温,产品广泛应用于电子行业,包括电信,微处理器,汽车,仪器仪表和医疗应用。应用范围广的特点,在市场得到广大群众的信赖,所生产SHINSUNG晶振均采用优异环保材料,符合国际ROHS指令,减少废物的产生和排放,有效的使用能源和各种自然资源。
公司主旨:以顾客为中心,基于价值的管理,人类和谐的价值,SHINSUNG在新的加工和测试结构设备上的投资确保公司将继续提供卓越的设计,追求质量管理,并提供持续的新产品,为客户提供高品质的产品和服务,以满足客户在当前和未来的需求。
型号 |
SVC-D-S (TCXO) |
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输出频率范围 |
0.750MHZ~800.000MHZ |
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标准频率 |
16.3676MHz/16.367667MHz/16.368MHz/16.369MHz/16.8MHz/26MHz/33.6MHz |
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电源电压范围 |
+1.8~+3.3V |
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电源电压(Vcc) |
+1.8V/+2.6V/+2.8V/+3.0V/+3.3V |
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消耗电流 |
+1.5mA max.(f≦26MHz)/+2.0mA max.(26<f≦52MHz) |
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待机时电流 |
- |
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输出电压 |
0.8Vp-p min.(f≦52MHz)(削峰正弦波/DC-coupled) |
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输出负载 |
10kΩ//10pF |
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频率稳定度 |
常温偏差 |
±1.5×10-6 max.(After 2 reflows) |
温度特性 |
±0.5×10-6,±2.5×10-6 max./-55~+125℃ |
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电源电压特性 |
±0.2×10-6 max.(VCC ±5%) |
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负载变化特性 |
±0.2×10-6 max.(10kΩ//10pF±10%) |
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长期变化 |
±1.0×10-6 max./year |
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频率控制 |
控制灵敏度 |
- |
频率控制极性 |
- |
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启动时间 |
2.0ms max. |
SHINSUNG晶振,晶振,SVC-D-S-33ST-30HZ-155.520MHz晶振
热影响
重复的温度巨大变化可能会降低受损害的石英晶振产品特性,并导致塑料封装里的线路击穿.必须避免这种情况.
安装方向
晶体振荡器的不正确安装会导致故障以及崩溃,因此安装时,请检查安装方向是否正确.
通电
不建议从中间电位和/或极快速通电,否则会导致无法产生振荡和/或非正常工作.
有源晶振的负载电容与阻抗
负载电容与阻抗有源晶振设置一个规定的负载阻抗值.当一个值除了规定的一个设置为负载阻抗输出频率和输出电平不会满足时,指定的值这可能会导致问题例如:失真的输出波形.特别是设置电抗,根据规范的负载阻抗.输出频率和输出电平,当测量输出频率或输出水平,晶体振荡器调整的输入阻抗,测量仪器的负载阻抗晶体振荡器.当输入阻抗的测量仪器,不同的负载阻抗的晶体振荡器,测量输出频率或输出水平高,阻抗阻抗测量可以忽略.
抗冲击
抗冲击是指晶振产品可能会在某些条件下受到损坏.例如从桌上跌落,摔打,高空抛压或在贴装过程中受到冲击.如果产品已受过冲击请勿使用.因为无论何种石英晶振,其内部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都会给晶振照成不良影响.
耐焊性:
将晶振加热包装材料至+150℃以上会破坏产品特性或损害产品.如需在+150℃以上焊接石英晶振,建议使用有源SMD晶振产品.在下列回流条件下,对石英耐高温晶振产品甚至晶振使用更高温度,会破坏晶振特性.建议使用下列配置情况的回流条件.安装这些贴片晶振之前,应检查焊接温度和时间.同时,在安装条件更改的情况下,请再次进行检查.如果需要焊接的晶振产品在下列配置条件下进行焊接,请联系我们以获取耐热的相关信息.
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