SiT9105晶振,高质量振荡器,进口有源晶振

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Sitime晶振,石英晶体振荡器,SiT9105有源晶振

频率：1.000MHz~220.000MHz

尺寸：7.0*5.0*0.9mm

有源贴片石英晶体振荡器,体积小,焊接可采用自动贴片系统,产品本身小型,表面贴片晶振,特别适用于有小型化要求的电子数码产品市场领域,因产品小型,薄型优势,耐环境特性,包括耐高温,耐冲击性等,在移动通信领域得到了广泛的应用,晶振产品本身可发挥优良的电气特性,满足无铅焊接的高温回流温度曲线要求.

订购热线：86-0755-27838351

Sitime晶振,石英晶体振荡器,SiT9105有源晶振.智能手机晶振,产品具有高精度超小型的表面贴片型石英晶体振荡器,最适用于移动通信终端的基准时钟等移动通信领域.比如智能手机,无线通信,卫星导航,平台基站等较高端的数码产品,晶振本身小型,薄型具备各类移动通信的基准时钟源用频率,贴片晶振具有优良的电气特性,耐环境性能适用于移动通信领域,满足无铅焊接的高温回流温度曲线要求.

石英晶振的切割设计:用不同角度对晶振的石英晶棒进行切割,可获得不同特性的石英晶片,通常我们把晶振的石英晶片对晶棒坐标轴某种方位(角度)的切割称为石英晶片的切型.不同切型的石英晶片,因其弹性性质,压电性质,温度性质不同,其电特性也各异,石英晶振目前主要使用的有AT切、BT切.其它切型还有CT、DT、GT、NT等.

SiTime在MEMS(微机电系统)技术、模拟CMOS电路设计和开发方面具有深厚的技术专长,并具有成本效益的组装和测试.这些专业技术的结合,都是在SiTime内部进行的,在计时行业中是独一无二的,推动创新的速度要比quartz快得多.Sitime晶振的创新和领导力正在给计时行业带来变革.

Sitime晶振	SiT9105晶振
输出类型	LVCMOS
输出负载	15pF
振荡模式	基本/第三泛音
电源电压	+2.5V，+3.3V
频率范围	1.000MHz~220.000MHz
频率	±25ppm ±50ppm
工作温度	-20℃~+70℃ -40℃~+85℃
保存温度	-65℃~+150℃
电压卷（最大值）/ VOH（最小值）	0.1 VDD / 0.9 VDD
启动时间	5 ms Max
相位抖动（12兆赫~20兆赫）	1个PS最大
老化率	±3 ppm /年最大

SiT9105-7050 OSC

热影响

重复的温度巨大变化可能会降低受损害的石英有源晶振产品特性,并导致塑料封装里的线路击穿.必须避免这种情况.

安装方向

振荡器的不正确安装会导致故障以及崩溃,因此安装时,请检查安装方向是否正确.

通电

不建议从中间电位和/或极快速通电,否则会导致无法产生振荡和/或非正常工作.

有源晶振的负载电容与阻抗

负载电容与阻抗3225有源晶振设置一个规定的负载阻抗值.当一个值除了规定的一个设置为负载阻抗输出频率和输出电平不会满足时,指定的值这可能会导致问题例如：失真的输出波形.特别是设置电抗,根据规范的负载阻抗.输出频率和输出电平,当测量输出频率或输出水平,晶体振荡器调整的输入阻抗,测量仪器的负载阻抗晶体振荡器.当输入阻抗的测量仪器,不同的负载阻抗的晶体振荡器,测量输出频率或输出水平高,阻抗阻抗测量可以忽略.

抗冲击

抗冲击是指晶振产品可能会在某些条件下受到损坏.例如从桌上跌落,摔打,高空抛压或在贴装过程中受到冲击.如果产品已受过冲击请勿使用.因为无论何种石英晶振,其内部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都会给晶振照成不良影响.

耐焊性：

将晶振加热包装材料至+150℃以上会破坏产品特性或损害产品.如需在+150℃以上焊接石英晶振,建议使用SMD晶振产品.在下列回流条件下,对石英耐高温晶振产品甚至晶振使用更高温度,会破坏晶振特性.建议使用下列配置情况的回流条件.安装这些贴片晶振之前,应检查焊接温度和时间.同时,在安装条件更改的情况下,请再次进行检查.如果需要焊接的晶振产品在下列配置条件下进行焊接,请联系我们以获取耐热的相关信息.

SiT9105