86-0755-27838351
频率:32.768KHZ
尺寸:2.0*1.2*0.55mm
32.768K有源晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS集成电路,产品本身已实现与薄型IC(TSSOP封装,TVSOP封装)同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接(无铅对应)产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要.
Sitime晶振,有源晶体振荡器,SiT1533进口晶振.贴片式石英晶体振荡器,低电压启动功率,并且有多种电压供选择,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,产品被广泛应用于,平板笔记本,GPS系统,光纤通道,千兆以太网,串行ATA,串行连接SCSI,PCI-Express的SDH/SONET发射基站等领域.符合RoHS/无铅.
SiTime的MEMS技术起源于博世和斯坦福大学.在我们的创始人创立Sitime晶振之前,他们花了数年时间,在德国的博世和加州的帕洛阿尔托研发挽救生命的MEMS解决方案.自2005年成立以来,SiTime公司开发了几代先进的kHz和MHz MEMS谐振器,它们具有最高的性能、最小的漂移、最小的尺寸和最好的可靠性.我们还开发了一个全面的开发和仿真平台,确保了我们所有MEMS谐振器的第一个硅成功.SiTime的MEMS谐振器不仅在我们销售的每一个产品中都有,其他半导体公司也集成了SiTime的MEMS谐振器在它们的SOCs中,提供独特的、大容量的解决方案,不需要外部时钟.
有源晶振高频振荡器使用IC与晶片设计匹配技术:有源低功耗晶振是高频振荡器研发及生产过程必须要解决的技术难题.在设计过程中除了要考虑石英晶体谐振器具有的电性外,还有石英晶体振荡器的电极设计等其它的特殊性,必须考虑石英晶体振荡器的供应电压、起动电压和产品上升时间、下降时间等相关参数.
Sitime晶振 |
SiT1533晶振 |
输出类型 |
LVCMOS |
输出负载 |
15pF |
振荡模式 |
基本/第三泛音 |
电源电压 |
+1.5V~+3.63V |
频率范围 |
32.768KHZ |
频率 |
20ppm |
工作温度 |
-10℃~+70℃ -40℃~+85℃ |
保存温度 |
-65℃~+150℃ |
电压卷(最大值)/ VOH(最小值) |
0.1 VDD / 0.9 VDD |
启动时间 |
5 ms Max |
相位抖动(12兆赫~20兆赫) |
1个PS最大 |
老化率 |
±3 ppm /年最大 |
电处理:
将电源连接到有源晶振指定的终端,确定正确的极性这目录所示.注意电源的正负电极逆转或者连接到一个终端以,以为外的指定一个产品部分内的石英32.768K晶振,假如损坏那将不会工作.此外如果外接电源电压高于晶振的规定电压值,就很可能会导致石英晶振产品损坏.所以外接电压很重要,一定要确保使用正确的额定电压的振荡,但如果电压低于额定的电压值部分产品将会不起振,或者起不到最佳精度.
机械处理
当有源晶振发生外置撞击时,任何石英晶体振荡器在遭到外部撞击时,或者产品不小心跌落时,强烈的外置撞击都将会导致晶振损坏,或者频率不稳定现象.不执行任何强烈的冲击石英晶体振荡器.如果一个强大的冲击已给振荡器确保在使用前检查其特点.
输出负载
建议将石英晶振输出负载安装在尽可能靠近振荡器的地方(在20 mm范围之间).
未用输入终端的处理
未用针脚可能会引起噪声响应,从而导致非正常工作.同时,当P通道和N通道都处于打开时,电源功率消耗也会增加;因此,请将未用输入终端连接到VCC 或GND.
热影响
重复的温度巨大变化可能会降低受损害的石英耐高温晶振产品特性,并导致塑料封装里的线路击穿.必须避免这种情况.
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