86-0755-27838351
频率:8.000MHz~1500.000MHz
尺寸:5.0*3.2*1.2mm
SUNTSU晶振,VCXO石英晶体振荡器,SQV53C压控晶振.5032mm体积的石英晶体振荡器有源晶振,改产品可驱动2.5V的温补晶振,压控晶振,VC-TCXO晶体振荡器产品,电源电压的低电耗型,编带包装方式,可对应自动高速贴片机自动焊接,及IR回流焊接(无铅对应),为无铅产品,超小型,质地轻.产品被广泛应用到集成电路,程控交换系统,无线发射基站.
贴片晶振晶片边缘处理技术:贴片晶振是晶片通过滚筒倒边,主要是为了去除石英智能家居晶振晶片的边缘效应,在实际操作中机器运动方式设计、滚筒的曲率半径、滚筒的长短、使用的研磨砂的型号、多少、填充物种类及多少等各项设计必须合理,有一项不完善都会使晶振晶片的边缘效应不能去除,而石英晶振晶片的谐振电阻过大,用在电路中Q值过小,从而电路不能振动或振动了不稳定.
在接下来的三年中,我们的产品线迅速增长.我们从专注于超小型晶体和TCXO晶振开始,到提供各种低噪声振荡器和VCXO.2007年,我们进一步扩展了我们的产品线,包括大量高稳定性/低噪声OCXO,以满足基站和军事通信设备应用等需要高精度晶振的最高频率稳定性的需求.
SUNTSU晶振 |
SQV53C晶振 |
输出类型 |
CMOS |
输出负载 |
15pF |
振荡模式 |
基本/第三泛音 |
电源电压 |
+2.5V~+3.3V |
频率范围 |
8.00MHz~1500.00MHz |
频率稳定度 |
±20ppm |
工作温度 |
-40℃~+85℃ |
保存温度 |
-55℃~+125℃ |
电压卷(最大值)/ VOH(最小值) |
0.1 VDD / 0.9 VDD |
启动时间 |
5 ms Max |
相位抖动(12兆赫~20兆赫) |
1个PS最大 |
老化率 |
±3 ppm /年最大 |
输出负载
建议将石英晶振输出负载安装在尽可能靠近振荡器的地方(在20 mm范围之间).
机械处理
当有源5032晶振发生外置撞击时,任何石英晶体振荡器在遭到外部撞击时,或者产品不小心跌落时,强烈的外置撞击都将会导致晶振损坏,或者频率不稳定现象.不执行任何强烈的冲击石英晶体振荡器.如果一个强大的冲击已经给振荡器确保在使用前检查其特点.
有源晶振的负载电容与阻抗
负载电容与阻抗有源晶振设置一个规定的负载阻抗值.当一个值除了规定的一个设置为负载阻抗输出频率和输出电平不会满足时,指定的值这可能会导致问题例如:失真的输出波形.特别是设置电抗,根据规范的负载阻抗.输出频率和输出电平,当测量输出频率或输出水平,晶体振荡器调整的输入阻抗,测量仪器的负载阻抗晶体振荡器.当输入阻抗的测量仪器,不同的负载阻抗的晶体振荡器,测量输出频率或输出水平高,阻抗阻抗测量可以忽略.
如何正确的使用有源晶振
电处理:将电源连接到有源晶振指定的终端,确定正确的极性这目录所示.注意电源的正负电极逆转或者连接到一个终端以,以为外的指定一个产品部分内的石英晶振,假如损坏那将不会工作.此外如果外接电源电压高于进口晶振的规定电压值,就很可能会导致石英晶振产品损坏.所以外接电压很重要,一定要确保使用正确的额定电压的振荡,但如果电压低于额定的电压值部分产品将会不起振,或者起不到最佳精度.
激励功率
在晶振上施加过多驱动力,会导致产品特性受到损害或破坏.电路设计必须能够维持适当的激励功率 (请参阅“激励功率”章节内容).
5032mm体积的石英晶体振荡器有源晶振,改产品可驱动2.5V的温补晶振,压控晶振,VC-TCXO晶体振荡器产品,电源电压的低电耗型,编带包装方式,可对应自动高速贴片机自动焊接,及IR回流焊接(无铅对应),为无铅产品,超小型,质地轻.产品被广泛应用到集成电路,程控交换系统,无线发射基站.
小型贴片石英晶振,外观尺寸具有薄型表面贴片型石英晶体振荡器,特别适用于有小型化要求的市场领域,比如智能手机,无线蓝牙,平板电脑等电子数码产品.晶振本身超小型,薄型,重量轻,晶体具有优良的耐环境特性,如耐热性,耐冲击性,在办公自动化,家电相关电器领域及Bluetooth,WirelessLAN等短距离无线通信领域可发挥优良的电气特性,满足无铅焊接的回流温度曲线要求.
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