86-0755-27838351
频率:32.768KHZ
尺寸:5.0*3.2*1.2mm
NSK晶振,有源晶体振荡器,NAOH晶振.5032mm体积的石英晶体振荡器有源晶振,改产品可驱动2.5V的温补晶振,压控晶振,VC-TCXO晶体振荡器产品,电源电压的低电耗型,编带包装方式,可对应自动高速贴片机自动焊接,及IR回流焊接(无铅对应),为无铅产品,超小型,质地轻.产品被广泛应用到集成电路,程控交换系统,无线发射基站.
NSK的产品被广泛地运用在个人计算机,安全系统,通讯,无线应用,遥控单元和消费性电子产品等,并已陆续获得国内外电脑及通讯大厂认可及使用.NSK晶振已获得ISO 9001 / ISO 14001的品质和环保认证,产品并通过及符合Rohs规范的要求,且确实配合客户实现无毒产品的要求,以创造及维护美好环境为己任.NSK之环境管制物质控制规范,系依「欧盟RoHS指令标准参数」,「REACh法规」,「SONY技术标准SS-00259」以及其他客户要求NSK之环境管制物质控制规范.
贴片晶振晶片边缘处理技术:贴片晶振是晶片通过滚筒倒边,主要是为了去除石英晶振晶片的边缘效应,在实际操作中机器运动方式设计、滚筒的曲率半径、滚筒的长短、使用的研磨砂的型号、多少、填充物种类及多少等各项设计必须合理,有一项不完善都会使低功耗晶振晶片的边缘效应不能去除,而石英晶振晶片的谐振电阻过大,用在电路中Q值过小,从而电路不能振动或振动了不稳定.
NSK晶振 |
NAOH晶振 |
输出类型 |
CMOS |
输出负载 |
15pF |
振荡模式 |
基本/第三泛音 |
电源电压 |
+1.8V,+2.5V,+3.3V |
频率范围 |
32.768KHZ |
频率稳定度 |
±25ppm ±30ppm ±50ppm ±100ppm |
工作温度 |
-20℃~+70℃ |
保存温度 |
-55℃~+125℃ |
电压卷(最大值)/ VOH(最小值) |
0.1 VDD / 0.9 VDD |
启动时间 |
5 ms Max |
相位抖动(12兆赫~20兆赫) |
1个PS最大 |
老化率 |
±3 ppm /年最大 |
负载电容
振荡电路中负载电容的不同,可能导致振荡频率与设计频率之间产生偏差.试图通过强力调整,可能只会导致不正常的振荡.在使用之前,请指明该振动电路的负载电容(请参阅“负载电容”章节内容).
热影响
重复的温度巨大变化可能会降低受损害的5032晶振的产品特性,并导致塑料封装里的线路击穿.必须避免这种情况.
抗冲击
贴片晶振可能会在某些条件下受到损坏.例如从桌上跌落或在贴装过程中受到冲击.如果产品已受过冲击请勿使用.
化学制剂/pH值环境
请勿在PH值范围可能导致腐蚀或溶解晶振或包装材料的环境下使用或储藏这些产品.机械振动的影响,当晶振产品上存在任何给定冲击或受到周期性机械振动时,比如:压电扬声器,压电蜂鸣器,以及喇叭等,输出频率和幅度会受到影响.这种现象对通信器材通信质量有影响.尽管晶体产品设计可小化这种机械振动的影响,我们推荐事先检查并按照下列安装指南进行操作.
耐焊性
加热包装材料至+150°C以上会破坏产品特性或损害振荡器.如需在+150°C以上焊接晶体产品,建议使用SMD晶体.在下列回流条件下,对晶体产品甚至石英晶振使用更高温度,会破坏产品特性.建议使用下列配置情况的回流条件.安装这些产品之前,应检查焊接温度和时间.同时,在安装条件更改的情况下,请再次进行检查.如果需要焊接的晶体产品在下列配置条件下进行焊接,请联系我们以获取耐热的相关信息.
5032mm体积的石英晶体振荡器有源晶振,改产品可驱动2.5V的温补晶振,压控晶振,VC-TCXO晶体振荡器产品,电源电压的低电耗型,编带包装方式,可对应自动高速贴片机自动焊接,及IR回流焊接(无铅对应),为无铅产品,超小型,质地轻.产品被广泛应用到集成电路,程控交换系统,无线发射基站.
小型贴片石英晶振,外观尺寸具有薄型表面贴片型石英晶体振荡器,特别适用于有小型化要求的市场领域,比如智能手机,无线蓝牙,平板电脑等电子数码产品.晶振本身超小型,薄型,重量轻,晶体具有优良的耐环境特性,如耐热性,耐冲击性,在办公自动化,家电相关电器领域及Bluetooth,WirelessLAN等短距离无线通信领域可发挥优良的电气特性,满足无铅焊接的回流温度曲线要求.
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