NT2016SC晶振,耐高温晶体振荡器,有源贴片晶振

当前位置：首页 » 日产晶振 » NDK晶振 » NDK晶振,TCXO晶体振荡器,NT2016SC温补晶振

prevnext

NDK晶振,TCXO晶体振荡器,NT2016SC温补晶振

频率：10.000MHz~52.000MHz

尺寸：2.0*1.6*0.7mm

有源晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS集成电路,产品本身已实现与薄型IC(TSSOP封装,TVSOP封装)同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接(无铅对应)产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要.

订购热线：86-0755-27838351

NDK晶振,TCXO晶体振荡器,NT2016SC温补晶振.贴片式石英晶体振荡器,低电压启动功率,并且有多种电压供选择,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,产品被广泛应用于,平板笔记本,GPS系统,光纤通道,千兆以太网,串行ATA,串行连接SCSI,PCI-Express的SDH/SONET发射基站等领域.符合RoHS/无铅.

日本NDK晶振集团创造利益,提升企业价值的同时,为了继续提升企业的价值,我们认为维持经营的透明性,确实尽到对各位股份持有者说明的责任这样的公司治理的构筑必不可少,我们把其放在经营最重要的课题之一的位置.日本于2015年6月制定了公司治理准则,由此我们迎来了两位外部董事.加大强化相关经营监察机能、遵守法律,确保说明责任,迅速且适当地公布信息,履行环境保全等的社会责任,而从使我们能继续成为所有股份持有者的各位所信任和尊敬的企业.

石英晶振的切割设计:用不同角度对晶振的石英晶棒进行切割,可获得不同特性的石英晶片,通常我们把晶振的石英晶片对晶棒坐标轴某种方位(角度)的切割称为石英晶片的切型.不同切型的石英晶片,因其弹性性质,压电性质,温度性质不同,其电特性也各异,石英晶振目前主要使用的有AT切、BT切.其它切型还有CT、DT、GT、NT等.

NDK晶振	NT2016SC晶振
输出类型	HCMOS
输出负载	10kΩ//10pF
振荡模式	基本/第三泛音
电源电压	+1.8V
频率范围	10.000MHz~52.000MHz
频率稳定度	±2.0ppm
工作温度	-30℃~+85℃
保存温度	-40℃~+85℃
电压卷（最大值）/ VOH（最小值）	0.1 VDD / 0.9 VDD
启动时间	5 ms Max
相位抖动（12兆赫~20兆赫）	1个PS最大
老化率	±3 ppm /年最大

NT2016SC_2.0_1.6 TCXO

耐焊性:

将晶振加热包装材料至+150°C以上会破坏产品特性或损害产品.如需在+150°C以上焊接石英晶振,建议使用SMD晶振产品.在下列回流条件下,对石英晶振产品甚至SMD2016晶振使用更高温度,会破坏晶振特性.建议使用下列配置情况的回流条件.安装这些贴片晶振之前,应检查焊接温度和时间.同时,在安装条件更改的情况下,请再次进行检查.如果需要焊接的晶振产品在下列配置条件下进行焊接,请联系我们以获取耐热的相关信息.

辐射

将贴片晶振暴露于辐射环境会导致产品性能受到损害,因此应避免阳光长时间的照射.

化学制剂 / pH值环境

请勿在PH值范围可能导致腐蚀或溶解石英晶振或包装材料的环境下使用或储藏这些产品.

粘合剂

请勿使用可能导致高精密贴片晶振所用的封装材料,终端,组件,玻璃材料以及气相沉积材料等受到腐蚀的胶粘剂.（比如,氯基胶粘剂可能腐蚀一个晶振的金属“盖”,从而破坏密封质量,降低性能.）

静电

过高的静电可能会损坏贴片晶振,请注意抗静电条件.请为容器和封装材料选择导电材料.在处理的时候,请使用电焊枪和无高电压泄漏的测量电路,并进行接地操作.

卤化合物

请勿在卤素气体环境下使用晶振.即使少量的卤素气体,比如在空气中的氯气内或封装所用金属部件内,都可能产生腐蚀.同时,请勿使用任何会释放出卤素气体的树脂.