Microchip高频晶振,DSC1124BI1-100.0000,MEMS振荡器,5032mm,100MHZ

DSC1104和DSC1124系列的高性能有源晶体振荡器采用经验证的硅MEMS技术提供卓越的抖动和稳定性广泛的电源电压和温度范围。通过消除了对石英或SAW技术的需要，MEMS振荡器显著提高了可靠性和加快产品开发，同时满足各种严格的时钟性能标准通信、存储和网络应用程序。Microchip高频晶振,DSC1124BI1-100.0000,MEMS振荡器,5032mm,100MHZ.

Microchip高频晶振,DSC1124BI1-100.0000,MEMS振荡器,5032mm,100MHZ 参数表

Parameters

Sym.

Min.

Typ.

Max.

Units

Conditions

Supply Voltage(Note 1)

VDD

2.25

3.6

V

Supply Current

IDD

—

—

0.095

mA

DSC1104, EN pin low,

Output is disabled

—

20

22

DSC1124, EN pin low,

Output is disabled

Frequency Stability

Δf

±10

ppm

Includes frequency variation

±20

due to initial tolerance,

±25

temp., and power supply

±50

voltage

Aging

ΔfY1

±5

ppm

One yearat +25°C

Start-up Time (Note 2)

tSU

5

ms

T = +25°C

Input Logic Levels

VIH

0.75 x VDD

V

Input logic high

VIL

0.25 x VDD

Input logic low

Output Disable Time (Note 3)

tDA

5

ns

Output Enable Time

tEN

5

ms

DSC1104

20

ns

DSC1124

Enable Pull-Up Resistor

RPU

—

40

—

kΩ

Pull-up resistor exists

(Note 4)

HCSL Outputs

Supply Current

IDD

40

42

mA

Output Enabled, RL= 50Ω

Output Logic Levels

VOH

0.725

V

Output logic high, RL= 50Ω

VOL

0.1

Output logic low

Peak-to-Peak Output Swing

750

mV

Single-Ended

Output Transition Time

tr

200

—

400

ps

Rise time, 20% to 80%,RL=

(Note 3)

50Ω, CL= 2 pF

t f

200

—

—

Fall time, 20% to 80%,RL=

50Ω, CL= 2 pF

Frequency

f0

2.3

460

MHz

Output Duty Cycle

SYM

48

52

%

Differential

Microchip高频晶振,DSC1124BI1-100.0000,MEMS振荡器,5032mm,100MHZ尺寸图

Microchip高频晶振,DSC1124BI1-100.0000,MEMS振荡器,5032mm,100MHZ

有源晶振产品特点：

低RMS相位抖动：＜1ps（典型值）

高稳定性：±10ppm、±20ppm、±25ppm，±50 ppm

温度范围广

工业：-40°C至+85°C

外部商业：-20°C至+70°C

外部工业：-40°C至+105°C

高电源噪声抑制：-50 dBc

宽频率范围：2.3MHz至460MHz

小型行业标准足迹：

2.5毫米x 2.0毫米、3.2毫米x 2.5毫米，

5.0毫米x 3.2毫米和7.0毫米x 5.0毫米

卓越的冲击和振动抗扰性

-符合MIL-STD-883

高可靠性

MTF比石英振荡器好20倍

低电流消耗

供电范围为2.25V至3.6V

待机和输出启用功能

无铅且符合RoHS