M911201NI2-20M48000,7050mm,20MHz,Microchip高性能MEMS振荡器

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M911201NI2-20M48000,7050mm,20MHz,Microchip高性能MEMS振荡器

频率：20.000MHz

尺寸：7.0x5.0mm

M911201NI2-20M48000,7050mm,20MHz,Microchip高性能MEMS振荡器，美国进口晶振，Microchip晶振，型号：M9112X1系列，编码为：M911201NI2-20M48000，高性能MEMS振荡器，小体积晶振尺寸：7.0x5.0mm，六脚贴片晶振，工作温度范围：-40℃至+85℃，频率稳定性：±50ppm，频率为：20.000MHz，石英晶体振荡器，石英晶振，有源晶振。具有超小型，轻薄型，高性能，高品质，耐热及耐环境特点。应用程序：计算、存储、网络、电信、工业控制，SATA、SAS、以太网、PCI Express、视频、Wi-Fi，军事系统等。

订购热线：86-0755-27838351

M911201NI2-20M48000,7050mm,20MHz,Microchip高性能MEMS振荡器，产品特点：

•2.5 MHz和170 MHz之间的任何频率，精确到小数点后6位
•CMOS兼容输出石英贴片晶振
•极低相位抖动：0.65 ps（12 kHz至20 MHz）
•温度范围广：-40°C至+125°C
•标准6引线封装：7.0×5.0mm，5.0×3.2mm、3.2×2.5mm、2.5×2.0mm
•2.5μA时的低待机电流（典型值）

M911201NI2-20M48000,7050mm,20MHz,Microchip高性能MEMS振荡器,参数表

Parameter

Symbol

Min.

Typ.

Max.

Units

Conditions

Output Frequency

f OUT

20.0

MHz

Frequency Stability

f STAB

–20

+20

ppm

Inclusive of initial tolerance at +25°C and
variations over operating temperature,
rated power supply voltage, and load.

–25

+25

–50

+50

Aging

fAGING

–5

ppm

25°C, ±1 ppm after 1st year

Operating Temperature
Range

TOP

–40

+125

°C

Automotive

–40

+105

Extended Industrial

–40

+85

Industrial

–20

+70

Commercial

Supply Voltage

V DD

2.25

2.5

2.75

2.52

2.8

3.08

2.97

3.3

3.63

Current Consumption

IDD

—

No load condition, f = 100 MHz,
V DD = 2.5V, 2.8V, or 3.3V

OE Disable Current

IOD

f = 100 MHz, OE Disabled

Standby Current

ISTD

2.5

µA

V DD = 3.3V

Duty Cycle

Rise Time

—

1.3

—

20% to 80% V DD; CL = 15 pF Standard
Drive Strength

Fall Time

t f

—

1.3

—

20% to 80% V DD; CL = 15 pF Standard
Drive Strength

Output High Voltage

V OH

80%

V DD

+10 mA

Output Low Voltage

VOL

20%

V DD

–10 mA

Input High Voltage

VIH

75%

V DD

Pin 1, OE or ST

Input Low Voltage

VIL

25%

V DD

Pin 1, OE or ST

Enable Pull-Up Resistor

Z IN

1.5

MΩ

Start-Up Time

t START

5.5

T = +25°C

M911201NI2-20M48000,7050mm,20MHz,Microchip高性能MEMS振荡器,尺寸图

深圳市康华尔电子有限公司

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M911201NI2-20M48000 7050mm 20MHz Microchip高性能MEMS振荡器

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