DSO221SBM晶振,低电压晶振,2520mm晶振,贴片晶振

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KDS晶振,DSO221SBM晶振,有源晶振

频率：3.25MHZ~52MHZ

尺寸：2.5*2.0mm

小型贴片石英晶振主要采用了，先进的晶片的抛光工艺技术，是晶体行业中石英晶片研磨技术中表面处理的最高技术，最终使晶片表面更光洁，平行度及平面度更好，大大的降低谐振电阻，使精度得到了很大的提升。改变了传统的生产工艺，使产品在各项参数得到了很大的改良,外观尺寸具有薄型表面贴片型石英晶体谐振器,特别适用于有小型化要求的市场领域,比如智能手机,无线蓝牙,平板电脑等电子数码产品.

订购热线：86-0755-27838351

KDS晶振,DSO221SBM晶振,有源晶振

日本株式会社大真空晶振总公司设立在日本国兵库县加古川市平冈町新在家,创业时间为1959年11月3日,正式注册成立是在1963年5月8日,当时注册资金高达321亿日元之多,主要从事电子元件石英晶振以及电子设备生产销售一体化,包括晶体谐振器,音叉型晶体谐振器,晶体应用产品,晶体振荡器,晶体滤波器,晶体光学产品,硅晶体时钟设备,MEMS振荡器等.

大真空株式会社KDS晶振自1959年建立以来一直遵从的三个理念”依赖”于”可靠的人”“可靠的产品”和”可靠的公司”.作为全球石英晶振制造商,大真空KDS晶振努力帮助实现新一代电子社会,更方便人们更舒适,通过开发石英晶振, 压控晶体振荡器(VCXO),温补晶体振荡器(TCXO),恒温晶体振荡器(OCXO),陶瓷谐振器等晶体器件对全球环境友好.

日本株式会社KDS晶振不断努力为我们的客户在日本国内外提供世界一流的质量和满意程度高.所生产石英晶振,陶瓷晶振,声表面谐振器,有源晶振等器件遍布全球,包括美国,英国,德国,到中国,新加坡,泰国和其他亚洲国家.以”依赖”为公司方针,以客户为导向,创新高效的经营管理,努力创造利润,履行企业社会责任.

日本大真空株式会社KDS晶振,于1993年被天津政府对外资招商部特别邀请在中国天津投资.日本大真空在当年5月份,就在天津市位于武清开发区确定投资建厂,品牌是简称(KDS晶振)当时总额1.4亿美元,注册资本4867.3万美元,占地面积67.5亩.

日本大真空株式会社KDS晶振品牌实力见证未来,KDS晶振集团总公司位于日本兵库县加古川,在泰国,印度尼西亚,台湾,中国天津这些大城市均有压控晶体振荡器,贴片晶振,陶瓷雾化片,32.768K钟表晶振,温补晶振的生产工厂,而天津KDS晶振工厂是全球石英晶振生产最大量的工厂,自从1993年在天津投产以来,技术更新从未间断.

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如何正确的使用有源晶振

电处理：

将电源连接到有源晶体振荡器指定的终端,确定正确的极性这目录所示.注意电源的正负电极逆转或者连接到一个终端以,以为外的指定一个产品部分内的石英2520晶振,假如损坏那将不会工作.此外如果外接电源电压高于晶振的规定电压值,就很可能会导致石英晶振产品损坏.所以外接电压很重要,一定要确保使用正确的额定电压的振荡,但如果电压低于额定的电压值部分产品将会不起振,或者起不到最佳精度.

机械处理

当晶振发生外置撞击时,任何石英晶体振荡器在遭到外部撞击时,或者产品不小心跌落时,强烈的外置撞击都将会导致晶振损坏,或者频率不稳定现象.不执行任何强烈的冲击石英晶体振荡器.如果一个强大的冲击已经给振荡器确保在使用前检查其特点.

机械振动的影响

当晶振产品上存在任何给定冲击或受到周期性机械振动时,比如:压电扬声器,压电蜂鸣器,以及喇叭等,输出频率和幅度会受到影响.这种现象对通信器材通信质量有影响.尽管SMD晶振产品设计可最小化这种机械振动的影响,我们推荐事先检查并按照下列安装指南进行操作.

有源晶振的负载电容与阻抗

负载电容与阻抗高精密贴片晶振设置一个规定的负载阻抗值.当一个值除了规定的一个设置为负载阻抗输出频率和输出电平不会满足时,指定的值这可能会导致问题例如：失真的输出波形.特别是设置电抗,根据规范的负载阻抗.输出频率和输出电平,当测量输出频率或输出水平,晶体振荡器调整的输入阻抗,测量仪器的负载阻抗晶体振荡器.当输入阻抗的测量仪器,不同的负载阻抗的晶体振荡器,测量输出频率或输出水平高,阻抗阻抗测量可以忽略.

DSO221SBM 2520 SPXO

項目	記号	特性コード		出力周波数範囲（MHz）	規格				条件
項目	記号	電源電圧	周波数許容偏差	出力周波数範囲（MHz）	min.	typ.	max.	単位	条件
電源電圧	V_CC	＊	＊	3.25≦fo≦52	+4.5	+5.0	+5.5	V
周波数許容偏差（常温偏差含む）	f_tol	＊	A	3.25≦fo≦52	-100	-	+100	×10^-6	-40~+85℃	-10~+70℃ （標準動作温度範囲）
			B	3.25≦fo≦52	-50	-	+50		-40~+85℃
			C	3.25≦fo≦52	-30	-	+30		-20~+70℃
消費電流	I_CC	＊	＊	3.25≦fo≦52	-	-	8.0	mA	No Load
スタンバイ時電流（＃1ピン"L"）	I_std	＊	＊	＊	-	-	50	μA
出力負荷	L__CMOS	＊	＊	＊	-	-	30	pF
波形シンメトリ	SYM	＊	＊	fo＜26	45	50	55	%	50% V_CC Level
波形シンメトリ	SYM	＊	＊	fo≧26	40	50	60	%	50% V_CC Level
0レベル電圧	V_OL	＊	＊	＊	-	-	V_CC×0.1	V
1レベル電圧	V_OH	＊	＊	＊	V_CC×0.9	-	-	V
立上り時間立下り時間	tr, tf	＊	＊	3.25≦fo≦52	-	-	10	ns	L__CMOS:30pF 10~90％ V_CC Level（20~80％ V_CC Level）
OE端子0レベル入力電圧	V_IL	＊	＊	＊	-	-	V_CC×0.2	V
OE端子1レベル入力電圧	V_IH	＊	＊	＊	V_CC×0.8	-	-	V
出力ディスエーブル時間	tPLZ	＊	＊	＊	-	-	150	ns
出力イネーブル時間	tPZL	＊	＊	＊	-	-	5	ms
ピリオド　ジッタ（1）	tRMS	＊	＊	＊	-	2.5	-	ps	σ
ピリオド　ジッタ（1）	tp-p	＊	＊	＊	-	20	-	ps	Peak to peak
トータル　ジッタ　（1）	tTL	＊	＊	＊	-	35	-	ps	tDJ+n×tRJ n=14.1(BER=1×10^-12)　(2)
位相ジッタ	tpj	＊	＊	40≦fo≦52	-	-	1	ps	fo offset:12kHz~20MHz
位相ジッタ	tpj	＊	＊	10≦fo＜40	-	-	1	ps	fo offset:12kHz~5MHz
梱包単位（3）	2000pcs./reel（φ180）

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