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KDS晶振,DSK321STD晶振,进口贴片晶振

频率:32.768KHZ

尺寸:3.2*2.5mm

小型贴片石英晶振主要采用了,先进的晶片的抛光工艺技术,是晶体行业中石英晶片研磨技术中表面处理的最高技术,最终使晶片表面更光洁,平行度及平面度更好,大大的降低谐振电阻,使精度得到了很大的提升。改变了传统的生产工艺,使产品在各项参数得到了很大的改良,外观尺寸具有薄型表面贴片型石英晶体谐振器,特别适用于有小型化要求的市场领域,比如智能手机,无线蓝牙,平板电脑等电子数码产品
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1KDS晶振,DSK321STD晶振,进口贴片晶振

3225mm体积贴片晶振适用于电子领域的表面贴片型石英晶振,本产品已被确定的高信赖性最适合用于智能电子部件,晶体在极端严酷的环境条件下也能发挥稳定的起振特性,晶振本身具有耐热,耐振,耐冲击等优良的耐环境特性,满足无铅焊接的高温回流温度曲线要求,符合ROHS标准.

Diodes 公司为领先业界的高质量应用特定标准产品全球制造商与供货商,产品涵盖广泛领域,包括独立、逻辑、模拟及混合讯号半导体市场.Diodes晶振服务的市场包括消费性电子、计算机、通讯、工业及汽车市场.Diodes 的产品包括二极管、整流器、晶体管、MOSFET、保护装置、特定功能数组、单闸极逻辑、放大器与比较器、霍尔效应与温度传感器、电源管理装置 (包括 LED 驱动器)、AC-DC 转换器与控制器、DC-DC 开关与线性稳压器,以及电压参考与特殊功能装置 (例如 USB 电源开关、负载开关、电压监控器及马达控制器).

进口石英晶振,多层、多金属的溅射镀膜技术:是目前研发及生产高精度、高稳定性石英晶体元器件——石英晶振必须攻克的关键技术之一.石英晶振该选用何镀材、镀几种材料、几种镀材的镀膜顺序,镀膜的工艺方法(如各镀材的功率设计等).使用此镀膜方法使镀膜后的晶振附着力增强,贴片晶振频率更加集中,能控制在最小ppm之内

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KDS晶振,DSK321STD晶振,进口贴片晶振

1959年在在神户市成立加工电子零件和石英晶体,进口晶振,爱普生晶体,KDS晶振,石英水晶振荡子.

1963公司变更为合股公司组织.

1965开始大规模生产石英晶体谐振器,32.768K钟表晶振,温补晶振,石英晶体振荡器等部件.

1970年在东京办事处开业.

1973年开设kurodasho(现在的西胁工厂)生产晶体管.

1974年开设川厂(现在的凉厂)是目前人造石英晶体,(SPXO)普通晶体振荡器,(TCXO)温补晶体振荡器,(OCXO)恒温晶体振荡器等生产规模最大的.

1976年开设宫崎厂(目前九州大真空公司)为音叉型石英晶体谐振器生产,在加古川市完成新总部.

1977年成立和谐电子公司建立大真空(美国)有限公司开始向美国市场供应晶体谐振器.

1980年开设鸟取工厂(目前鸟取生产部)对石英晶体谐振器生产增加.同年开始生产石英晶体滤波器和时钟晶振.

1981年建立大真空(香港)公司开始提供音叉型石英晶体谐振器,石英晶体振荡器,有源晶振的香港和中国市场.

1983年大阪证券交易所二期上市.

1984年独立完成中心实验室,开设德岛工厂(目前德岛生产部)作为人造石英晶体的稳定的生产基地,部分设备和石英谐振器,开始大规模生产光学低通滤波器.

1985年打开德岛第二厂开始生产陶瓷产品,有源晶振,压控振荡器,陶瓷晶振,声表面谐振器,贴片晶振,陶瓷雾化片打开配送中心在加古川市.

1987名古屋办事处开业.开始生产温补晶振(TCXO)和压控晶体振荡器(VCXO).

1988建立大真空(新加坡)有限公司加强在东盟地区销售.

1989更改公司名称大真空第三十周年.建立了PT.KDS晶振印度尼西亚启动海外生产石英晶体谐振器.

1990-1991大阪证券交易所第一节上市.建立大真空晶振(德国)公司加强在欧洲的销售.

1993建立了天津公司开始海外生产音叉晶振,石英晶体谐振器,石英晶体振荡器,陶瓷晶振,32.768K晶振,时钟晶振,压电石英晶振.

1996获得ISO9001(国际标准化组织质量管理标准).

1998(获得QS9000质量标准/汽车质量保证管理体系.)

2000获得ISO14001(环境管理体系由国际标准化组织),获得ISO / TS 16949(技术规范由国际标准化组织).

2003加大天津加工厂面积,扩大石英晶振生产规模,加强石英晶振在中国的销售.成立上海锐致国际贸易有限公司,以和谐电子公司为我公司的综合子公司.加强石英晶振,压控晶体振荡器(VCXO),温补晶振(TCXO),恒温晶体振荡器(OCXO),陶瓷谐振器等器件业务.

2010建立大真空(泰国)有限公司.

2012扩大在加古川市中央实验室的地板尺寸.

2013东京证券交易所第一节上市.

低频率稳定输出晶振,3225金属表面封装晶振,DSX321SH晶振

DSK321STD 3225(TCXO)

低频率稳定输出晶振,3225金属表面封装晶振,DSX321SH晶振

項目 記号 規格値 条件
min. typ. max. 単位
出力周波数 fo - 32.768 - kHz  
電源電圧範囲 VCC +2.0 - +5.5 V (温度補償動作)
+1.3 - +5.5 (計時動作)
周波数許容偏差
(常温偏差含む)
f_tol -5.0 - +5.0 ×10-6 -40~+85℃
-3.8 - +3.8 -10~+60℃
消費電流 ICC - +1.2 +2.5 μA VCC=+3.3V, 温度補償間隔0.5s, No Load
- +1.7 +3.2 VCC=+5.0V, 温度補償間隔0.5s, No Load
- +1.0 +2.0 VCC=+3.3V, 温度補償間隔2.0s, No Load
- +1.5 +3.0 VCC=+5.0V, 温度補償間隔2.0s, No Load
波形対称性 SYM 40 50 60 % at 50% VCC
0レベル電圧 VOL - - +0.4 V  
1レベル電圧 VOH VCC-0.4 - -  
立上り時間
立下り時間
tr, tf - - 50 ns VCC=+2.0~+5.5V, 10~90% VCC Level
- - 200 VCC=+1.3~+5.5V, 10~90% VCC Level
出力負荷条件 L_CMOS - - 15 pF  
起動時間 Tstart - - 3.0 s  
梱包単位(1) 2000pcs./reel (φ180)

低频率稳定输出晶振,3225金属表面封装晶振,DSX321SH晶振



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