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晶振帝国
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KDS晶振,贴片晶振,DSX221G晶振,1ZCB26000LB0B晶振

频率:12-64MHZ

尺寸:2.5*2.0mm

超小型表面贴片型SMD晶振,最适合使用在汽车电子领域中,也是特别要求高可靠性的引擎控制用CPU的时钟部分.低频晶振可从12MHz起对应,小型,超薄型具备强防焊裂性,石英晶体在极端严酷的环境条件下也能发挥稳定的起振特性,产品本身具有耐热,耐振,耐撞击等优良的耐环境特性,满足无铅焊接以及高温回流温度曲线要求,符合AEC-Q200标准.
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低频率稳定输出晶振,3225金属表面封装晶振,DSX321SH晶振

KDS晶振,贴片晶振,DSX221G晶振,1ZCB26000LB0B晶振,贴片晶振本身体积小,超薄型石英晶体谐振器,特别适用于有目前高速发展的高端电子数码产品,因为晶振本身小型化需求的市场领域,小型?薄型是对应陶瓷谐振器(偏差大)和普通的石英晶体谐振器(偏差小)的中间领域的一种性价比较出色的产品.产品广泛用于笔记本电脑,无线电话,卫星导航HDD, SSD, USB, Blu-ray等用途,符合无铅焊接的高温回流焊曲线特性.

石英晶振的研磨技术:通过对2520晶振切割整形后的晶片进行研磨,使石英晶振的晶片达到(厚度/频率)的一定范围。石英晶振晶片厚度与频率的关系为:在压电晶体行业,生产晶振频率的高低是显示技术水平的一个方面,通过理论与实际相结合,累积多年的晶振研磨经验,通过深入细致地完善石英晶振研磨工艺技术,注重贴片晶振研磨过程的各种细节,注重晶振所用精磨研磨设备的选择;注重所使用水晶、研磨砂的选择等

低频率稳定输出晶振,3225金属表面封装晶振,DSX321SH晶振

KDS晶振规格

单位

晶振频率范围

石英晶振基本条件

标准频率

f_nom

12-64MHZ

标准频率

储存温度

T_stg

-40°C ~ +125°C

裸存

工作温度

T_use

-40°C ~ +85°C

标准温度

激励功率

DL

200μW Max.

推荐:1μW ~ 100μW

频率公差

f_— l

±20 × 10-6 (标准),
(±15 × 10-6 ~ ±50 × 10-6 可用)

+25°C 对于超出标准的规格说明,
请联系我们以便获取相关的信息,http://www.crystal95.com

频率温度特征

f_tem

±30 × 10-6/-20°C ~ +70°C

超出标准的规格请联系我们.

负载电容

CL

8pF ,10PF,12PF,20PF

不同负载电容要求,请联系我们.

串联电阻(ESR)

R1

如下表所示

-40°C —  +85°C, DL = 100μW

频率老化

f_age

±5 × 10-6 / year Max.

+25°C,第一年

低频率稳定输出晶振,3225金属表面封装晶振,DSX321SH晶振

DSX220G DSX221G 2520

KDS贴片晶振产品列表:

DSX221G DSX321G DSX530GA

低频率稳定输出晶振,3225金属表面封装晶振,DSX321SH晶振


如果由频率计数器测量的频率比目标频率高,要增加石英晶振的电容(CL,或Cd以及C 8)的值,以降低频率到目标频率,反之亦然。请检查波形幅度是否改善或没有经过我们调整频率。如果它的改善,超小型SMD封装晶振这表示该电路的原始设计不是调谐到最佳共振点为晶体的情况。该贴片晶振应正常后,谐振点的调整。如果波形幅度甚至没有提高的频率非常接近目标频率,我们可以通过以下三种方法改进:

方法1:降低产品线路外部电容(Cd和CG)的值,并通过晶体具有较低负载电容(CL)。

方法2:采用小电阻(RR)的晶体。

方法3:使用镉和CG的不等价的设计。

我们可以增加镉(XOUT)的负载电容和降低CG(辛)的负载电容以提高从辛波形幅度将在其后端电路中使用的输出。陶瓷封装贴片晶振我们建议您使用上面的方法来节省成本,保证安全。请用频率计数器来测量所述无源晶体,以确保经调整频率仍然满足原说明书后的波形的振幅进行了改进。如果频率不符合规格,请采用晶体合适的CL值为根据您的目标频率。请采用晶振具有较低的CL如果频率比目标频率,反之亦然高得多系统不能正常工作,由于输出频率会偏差很大。

KDS晶振,贴片晶振,DSX221G晶振,1ZCB26000LB0B晶振

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