86-0755-27838351
频率:12.288-52MHZ
尺寸:2.0*1.6mm
KDS晶振,压控温补晶振,DSA211SCM晶振,1XXC26000HBA晶振,普通贴片石英晶振外观使用金属材料封装的,具有高稳定性,高可靠性的石英晶体振荡器,晶振外观本身使用金属封装,充分的密封性能,可确保其高可靠性,采用编带包装,外包装采用朔胶盘,可在自动贴片机上对应自动贴装等优势.
石英晶振的研磨技术:通过对高质量SMD晶振切割整形后的晶片进行研磨,使石英晶振的晶片达到(厚度/频率)的一定范围。石英晶振晶片厚度与频率的关系为:在压电晶体行业,生产晶振频率的高低是显示技术水平的一个方面,通过理论与实际相结合,累积多年的晶振研磨经验,通过深入细致地完善石英晶振研磨工艺技术,注重贴片晶振研磨过程的各种细节,注重晶振所用精磨研磨设备的选择;注重所使用水晶、研磨砂的选择等;
项目 |
符号 |
规格说明 |
条件 |
输出频率范围 |
f0 |
12.288-52MHZ |
请联系我们以便获取其它可用频率的相关信息 |
电源电压 |
VCC |
1.86-3.3V |
请联系我们以了解更多相关信息 |
储存温度 |
T_stg |
-40℃ to +85℃ |
裸存 |
工作温度 |
T_use |
G: -10℃ to +70℃ |
请联系我们查看更多资料http://www.crystal95.com |
H: -30℃ to +85℃ |
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|
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频率稳定度 |
f_tol |
J: ±50 × 10-6 |
|
L: ±100 × 10-6 |
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T: ±150 × 10-6 |
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功耗 |
ICC |
3.5 mA Max. |
无负载条件、最大工作频率 |
待机电流 |
I_std |
3.3μA Max. |
ST=GND |
占空比 |
SYM |
45 % to 55 % |
50 % VCC 极, L_CMOS≦15 pF |
输出电压 |
VOH |
VCC-0.4V Min. |
|
VOL |
0.4 V Max. |
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输出负载条件 |
L_CMOS |
15 pF Max. |
|
输入电压 |
VIH |
80% VCC Max. |
ST 终端 |
VIL |
20 % VCC Max. |
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上升/下降时间 |
tr / tf |
4 ns Max. |
20 % VCC to 80 % VCC 极, L_CMOS=15 pF |
振荡启动时间 |
t_str |
3 ms Max. |
t=0 at 90 % |
频率老化 |
f_aging |
±3 × 10-6 / year Max. |
+25 ℃, 初年度,第一年 |
KDS有源晶振产品列表:
石英晶振自动安装和真空化引发的冲击会破坏产品特性并影响这些产品。请设置安装条件以尽可能将冲击降至最低,并确保在安装前未对晶振特性产生影响。条件改变时,请重新检查安装条件。同时,在安装前后,请确保进口温补晶振产品未撞击机器或其他电路板等。
每个封装类型的注意事项
(1)陶瓷包装晶振与SON产品
在焊接陶瓷封装晶振和SON产品 (陶瓷包装是指晶振外观采用陶瓷制品) 之后,弯曲电路板会因机械应力而导致焊接部分剥落或封装分裂(开裂)。尤其在焊接这些产品之后进行电路板切割时,2016贴片晶振务必确保在应力较小的位置布局有源VCXO晶体并采用应力更小的切割方法。
(2)陶瓷包装石英晶振
在一个不同扩张系数电路板(环氧玻璃)上焊接陶瓷封装石英晶振时,在温度长时间重复变化时可能导致端子焊接部分发生断裂,请事先检查焊接特性。
(3)柱面式产品
产品的玻璃部分直接弯曲引脚或用力拉伸引脚会导致在引脚根部发生密封玻璃分裂(开裂),也可能导致气密性和产品特性受到破坏。当有源晶振的引脚需弯曲成下图所示形状时,应在这种场景下留出0.5mm的引脚并将其托住,以免发生分裂。当该引脚需修复时,请勿拉伸,托住弯曲部分进行修正。在该密封部分上施加一定压力,会导致气密性受到损坏。所以在此处请不要施加压力。另外,为避负机器共振造成引脚疲劳切断,建议用粘着剂将产品固在定电路板上。
KDS晶振,压控温补晶振,DSA211SCM晶振,1XXC26000HBA晶振
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