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美国GED有源晶振,6G发射器晶振,SMD100.3C(E/D)-10.000MHz

频率:10MHZ

尺寸:7.0×5.0mm

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有源晶振产品常常用于6G发射器晶振,测试测量,仪器设备,路由器,多媒体设备,智能家居,网络设备,无线模块等领域。美国GED有源晶振,6G发射器晶振,SMD100.3C(E/D)-10.000MHz.

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有源晶振产品常常用于6G发射器晶振,测试测量,仪器设备,路由器,多媒体设备,智能家居,网络设备,无线模块等领域。美国GED有源晶振,6G发射器晶振,SMD100.3C(E/D)-10.000MHz.2

美国GED有源晶振,6G发射器晶振,SMD100.3C(E/D)-10.000MHz      参数表

ELECTRICAL SPECIFICATIONS
Frequency Range 10.000MHz
Frequency Stability ±20ppm         ±25ppm           ±50ppm          ±100ppm
Operating Temperature Range 0°C  to +70°C       or       –40°C  to 85°C
Storage Temperature Range -55 ~ +125°C
Input Voltage +5.0VDC  ±10%
Input Current     1.000MHz to 32.000MHz
    33.000MHz to 49.000MHz
    50.000MHz to 69.000MHz
    70.000MHz to 133.000MHz
 20mA Max
45mA Max
50mA Max
100mA Max
Symmetry 50±10% Standard, 50±5% Available
Rise / Fall Time TTL 5nSeconds Typical, 10nSeconds Max
CMOS 5nSeconds Typical, 10nSeconds Max
Output Level TTL VOL : 0.4V Max                 VOH : +2.4V Min
CMOS VOL : 0.5V Max          VOH : VDD – 0.5V Min
Output Load CMOS, compatible, 1~10TTL Gates
Pin 1 Option No connection                  Enable/Disable (Tristate)

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美国GED有源晶振,6G发射器晶振,SMD100.3C(E/D)-10.000MHz      尺寸图

SMD100 美国GED有源晶振,6G发射器晶振,SMD100.3C(E/D)-10.000MHz

SPXO晶振产品特性:

HCMOS/TTL输出

5.0V电源电压

陶瓷SMD封装

可用于磁带和卷轴

SMD100 1

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