86-0755-27838351
频率:1-80MHZ
尺寸:5.0*3.2mm
富士晶振,贴片晶振,FVO-500晶振,普通石英晶振,外观完全使用金属材料封装的,产品本身采用全自动石英晶体检测仪,以及跌落,漏气等苛刻实验.产品本身具有高稳定性,高可靠性的石英晶体谐振器,焊接方面支持表面贴装,外观采用金属封装,具有充分的密封性能,晶振本身能确保其高可靠性,采用编带包装,可对应产品应用到自动贴片机高速安装,满足无铅焊接的高温回流温度曲线要求.
石英晶振多层、多金属的溅射镀膜技术:贴片晶振是目前研发及生产高精度、高稳定性石英晶体元器件——石英晶振必须攻克的关键技术之一。石英晶振该选用何镀材、镀几种材料、几种镀材的镀膜顺序,镀膜的工艺方法(如各镀材的功率设计等)。使用此镀膜方法使镀膜后的晶振附着力增强,贴片晶振频率更加集中,能控制在最小ppm之内。
项目 |
符号 |
晶振规格说明 |
条件 |
输出频率范围 |
f0 |
1-80MHZ |
请联系我们以便获取其它可用频率的相关信息 |
电源电压 |
VCC |
3.3V |
请联系我们以了解更多相关信息 |
储存温度 |
T_stg |
-55℃ to +125℃ |
裸存 |
工作温度 |
T_use |
G: -30℃ to +75℃ |
请联系我们查看更多资料 http://www.crystal95.com |
H: -40℃ to +85℃ |
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|
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频率稳定度 |
f_tol |
J: ±50 × 10-6 |
|
L: ±100 × 10-6 |
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T: ±150 × 10-6 |
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功耗 |
ICC |
3.5 mA Max. |
无负载条件、最大工作频率 |
待机电流 |
I_std |
3.3μA Max. |
ST=GND |
占空比 |
SYM |
45 % to 55 % |
50 % VCC 极, L_CMOS≦15 pF |
输出电压 |
VOH |
VCC-0.4V Min. |
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VOL |
0.4 V Max. |
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输出负载条件 |
L_CMOS |
15 pF Max. |
|
输入电压 |
VIH |
80% VCC Max. |
ST 终端 |
VIL |
20 % VCC Max. |
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上升/下降时间 |
tr / tf |
4 ns Max. |
20 % VCC to 80 % VCC 极, L_CMOS=15 pF |
振荡启动时间 |
t_str |
3 ms Max. |
t=0 at 90 % |
频率老化 |
f_aging |
±3 × 10-6 / year Max. |
+25 ℃, 初年度,第一年 |
石英晶振自动安装和真空化引发的冲击会破坏产品特性并影响这些产品。请设置安装条件以尽可能将冲击降至最低,并确保在安装前未对晶振特性产生影响。条件改变时,请重新检查安装条件。同时,在安装前后,请确保5.0*3.2mm贴片晶振产品未撞击机器或其他电路板等。
每个封装类型的注意事项
(1)陶瓷包装晶振与SON产品
在焊接陶瓷封装晶振和SON产品 (陶瓷包装是指晶振外观采用陶瓷制品) 之后,弯曲电路板会因机械应力而导致焊接部分剥落或封装分裂(开裂)。尤其在焊接这些产品之后进行电路板切割时,务必确保5032贴片晶振在应力较小的位置布局晶体并采用应力更小的切割方法。
(2)陶瓷包装石英晶振
在一个不同扩张系数电路板(环氧玻璃)上焊接陶瓷封装石英晶振时,在温度长时间重复变化时可能导致端子焊接部分发生断裂,请事先检查焊接特性。
(3)柱面式产品
产品的玻璃部分直接弯曲引脚或用力拉伸引脚会导致在引脚根部发生密封玻璃分裂(开裂),也可能导致气密性和产品特性受到破坏。当有源晶振的引脚需弯曲成下图所示形状时,应在这种场景下留出0.5mm的引脚并将其托住,以免发生分裂。当该引脚需修复时,请勿拉伸,托住弯曲部分进行修正。低电平驱动晶体在该密封部分上施加一定压力,会导致气密性受到损坏。所以在此处请不要施加压力。另外,为避负机器共振造成引脚疲劳切断,建议用粘着剂将产品固在定电路板上。
富士晶振,贴片晶振,FVO-500晶振
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