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爱普生晶振,温补晶振,TG5032CBN晶振,X1G0045710085晶振

频率:10~40MHZ

尺寸:5.0*3.2mm

贴片式石英晶体振荡器,低电压启动功率,并且有多种电压供选择,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,产品被广泛应用于,平板笔记本,GPS系统,光纤通道,千兆以太网,串行ATA,串行连接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET发射基站等领域.符合RoHS/无铅.
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EPSON爱普生公司成立于1942年5月,总部位于日本长野县诹访市,是数码映像领域的全球领先企业.爱普生集团通过富有创新和创造力的文化,提升企业价值,致力于为客户提供数码影像创新技术和解决方案.爱普生拓优科梦是一家专业从事晶体元件的厂商,爱普生拓优科梦(Epson — yocom)运用长年积累的培育人工石英贴片晶振以及以加工为代表的、实现精微化、高精度、高品质的综合技术,提出“3D战略”究极应用石英特性而制造的三大元器件:定时元器件、传感元器件、光学元器件,并创出将其复合而成的模块,为成为不可缺少的企业而迈进至今.

爱普生晶振,温补晶振,TG5032CBN晶振,X1G0045710085晶振,小型SMD有源晶振,体积的变小也使产品带来了更高的稳定性能,接缝密封石英晶体振荡器,精度高,覆盖频率范围宽的特点,SMD高速自动安装和高温回流焊设计,Optionable待机输出三态输出功能,电源电压范围:1.8V?5 V,高稳定性,低抖动,低功耗,主要应用领域:无线通讯,高端智能手机,平板笔记本WLAN,蓝牙,数码相机,DSL和其他IT产品的晶振应用,三态功能,PC和LCDM等高端数码领域,符合RoHS/无铅

晶振的真空封装技术:是指石英晶振在真空封装区域内进行封装。1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生;2.使晶振组件在真空下电阻减小;3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶振必须攻克的关键技术之一。

项目

符号

规格说明

条件

输出频率范围

f0

10~40MHZ

请联系我们以便获取其它可用频率的相关信息

电源电压

VCC

2.7V to 5.5V

联系我们以了解更多相关信息

储存温度

T_stg

-55 to +125

裸存

工作温度

T_use

G: -40 to +85

请联系我们查看更多资料http://www.crystal95.com

H: -40 to +105

J: -40 to +125

频率稳定度

f_tol

J: ±50 × 10-6

 

L: ±100 × 10-6

T: ±150 × 10-6

功耗

ICC

3.5 mA Max.

无负载条件、最大工作频率

待机电流

I_std

3.3μA Max.

ST=GND

占空比

SYM

45 % to 55 %

50 % VCC , L_CMOS15 pF

输出电压

VOH

VCC-0.4V Min.

 

VOL

0.4 V Max.

 

输出负载条件

L_CMOS

15 pF Max.

 

输入电压

VIH

80% VCC Max.

ST 终端

VIL

20 % VCC Max.

上升/下降时间

tr / tf

4 ns Max.

20 % VCC to 80 % VCC , L_CMOS=15 pF

振荡启动时间

t_str

3 ms Max.

t=0 at 90 %

频率老化

f_aging

±3 × 10-6 / year Max.

+25 初年度,第一年

爱普生TCXO进口日产晶振型号列表:

Rearranges Rearranges Rearranges
Model
Frequency LxWxH
Rearranges Rearranges,Rearranges
Output Wave
F.Tol@25°C
Rearranges Rearranges Rearranges
Ope Temperature
Freq/Temp I [Max]
Rearranges Rearranges
Freq. Control
25°C Aging
TG5032CBN 24.576000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm CMOS +/-1.0 ppm -40 to +85 °C +/-0.28 ppm ≤ 5.0 mA +/-0.5ppm
TG5032CBN 10.000000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm CMOS +/-1.0 ppm -40 to +85 °C +/-0.28 ppm ≤ 5.0 mA +/-0.5ppm
TG5032CBN 15.360000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm CMOS +/-1.0 ppm -40 to +85 °C +/-0.28 ppm ≤ 5.0 mA +/-0.5ppm
TG5032CBN 19.200000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm CMOS +/-1.0 ppm -40 to +85 °C +/-0.28 ppm ≤ 5.0 mA +/-0.5ppm
TG5032CBN 26.000000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm CMOS +/-1.0 ppm -40 to +85 °C +/-0.28 ppm ≤ 5.0 mA +/-0.5ppm
TG5032CBN 25.000000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm CMOS +/-1.0 ppm -40 to +85 °C +/-0.28 ppm ≤ 5.0 mA +/-0.5ppm
TG5032CBN 40.000000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm CMOS +/-1.0 ppm -40 to +85 °C +/-0.28 ppm ≤ 6.0 mA +/-0.5ppm
TG5032CBN 50.000000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm CMOS +/-0.9 ppm -40 to +85 °C +/-0.28 ppm ≤ 8.0 mA +/-1ppm
TG5032CBN 30.720000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm CMOS +/-1.0 ppm -40 to +85 °C +/-0.28 ppm ≤ 6.0 mA +/-0.5ppm
TG5032CBN 20.000000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm CMOS +/-1.0 ppm -40 to +85 °C +/-0.28 ppm ≤ 5.0 mA +/-0.5ppm
TG5032CBN 19.440000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm CMOS +/-1.0 ppm -40 to +85 °C +/-0.28 ppm ≤ 5.0 mA +/-0.5ppm
爱普生TCXO进口日产晶振编码列表:

X1G0045710085 TG5032CBN 24.576000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm CMOS +/-1.0 ppm -40 to +85 °C +/-0.28 ppm ≤ 5.0 mA +/-0.5ppm
X1G0045710086 TG5032CBN 10.000000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm CMOS +/-1.0 ppm -40 to +85 °C +/-0.28 ppm ≤ 5.0 mA +/-0.5ppm
X1G0045710088 TG5032CBN 15.360000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm CMOS +/-1.0 ppm -40 to +85 °C +/-0.28 ppm ≤ 5.0 mA +/-0.5ppm
X1G0045710091 TG5032CBN 19.200000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm CMOS +/-1.0 ppm -40 to +85 °C +/-0.28 ppm ≤ 5.0 mA +/-0.5ppm
X1G0045710092 TG5032CBN 26.000000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm CMOS +/-1.0 ppm -40 to +85 °C +/-0.28 ppm ≤ 5.0 mA +/-0.5ppm
X1G0045710093 TG5032CBN 25.000000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm CMOS +/-1.0 ppm -40 to +85 °C +/-0.28 ppm ≤ 5.0 mA +/-0.5ppm
X1G0045710094 TG5032CBN 40.000000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm CMOS +/-1.0 ppm -40 to +85 °C +/-0.28 ppm ≤ 6.0 mA +/-0.5ppm
X1G0045710095 TG5032CBN 50.000000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm CMOS +/-0.9 ppm -40 to +85 °C +/-0.28 ppm ≤ 8.0 mA +/-1ppm
X1G0045710096 TG5032CBN 30.720000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm CMOS +/-1.0 ppm -40 to +85 °C +/-0.28 ppm ≤ 6.0 mA +/-0.5ppm
X1G0045710097 TG5032CBN 20.000000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm CMOS +/-1.0 ppm -40 to +85 °C +/-0.28 ppm ≤ 5.0 mA +/-0.5ppm
X1G0045710098 TG5032CBN 19.440000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm CMOS +/-1.0 ppm -40 to +85 °C +/-0.28 ppm ≤ 5.0 mA +/-0.5ppm

TG5032CBN 5032

PCB设计指导:(1) 理想情况下,机械蜂鸣器应安装在一个独立于进口小体积有源晶振器件的PCB板上。如果您安装在同一个PCB板上,最好使用余量或切割PCB。当应用于PCB板本身或PCB板体内部时,机械振动程度有所不同。建议遵照内部板体特性。爱普生晶振,温补晶振,TG5032CBN晶振,X1G0045710085晶振

(2) 在设计时请参考相应的推荐封装。(3) 在使用进口石英晶体振荡器焊料助焊剂时,按JIS标准(JIS C 60068-2-20/IEC 60,068-2-20).来使用。(4) 请按JIS标准(JIS Z 3282, Pb 含量 1000ppm, 0.1wt% 或更少)来使用无铅焊料。 

机械振动的影响:当5032封装晶振产品上存在任何给定冲击或受到周期性机械振动时,比如:压电扬声器,压电蜂鸣器,以及喇叭等,输出频率和幅度会受到影响。这种现象对通信器材通信质量有影响。尽管晶振产品设计可最小化这种机械振动的影响,我们推荐事先检查并按照下列安装指南进行操作。

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小型SMD日产晶振,体积的变小也使产品带来了更高的稳定性能,接缝密封石英晶体振荡器,精度高,覆盖频率范围宽的特点,SMD高速自动安装和高温回流焊设计,Optionable待机输出三态输出功能,电源电压范围:1.8V?5 V,高稳定性,低抖动,低功耗,主要应用领域:无线通讯,高端智能手机,平板笔记本WLAN,蓝牙,数码相机,DSL和其他IT产品的晶振应用,三态功能,PC和LCDM等高端数码领域,符合RoHS/无铅
爱普生晶振,温补晶振,TG5032SAN晶振,X1G0044410088晶振
爱普生晶振,温补晶振,TG5032SAN晶振,X1G0044410088晶振
智能手机SMD晶振,产品具有高精度超小型的表面贴片型石英晶体振荡器,最适用于移动通信终端的基准时钟等移动通信领域.比如智能手机,无线通信,卫星导航,平台基站等较高端的数码产品,晶振本身小型,薄型具备各类移动通信的基准时钟源用频率,贴片晶振具有优良的电气特性,耐环境性能适用于移动通信领域,满足无铅焊接的高温回流温度曲线要求.
爱普生晶振,温补晶振,TG5032CAN晶振,X1G0044310086晶振
爱普生晶振,温补晶振,TG5032CAN晶振,X1G0044310086晶振
5032mm体积的石英晶体振荡器,有源晶振,该产品可驱动2.5V的温补晶振,压控晶振,VC-TCXO晶体振荡器产品,电源电压的低电耗型,编带包装方式,可对应自动高速贴片机自动焊接,及IR回流焊接(无铅对应),为无铅产品,超小型,质地轻.产品被广泛应用到集成电路,程控交换系统,无线发射基站.
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