高品质晶振,石英晶体振荡器,SG-210SEB晶振,SG-210SEB 26.0000MF3

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爱普生晶振,贴片晶振,SG-210SEB晶振,SG-210SEB 26.0000MF3

频率：2-60MHZ

尺寸：2.5*2.0mm

小型贴片石英晶振,外观尺寸具有薄型表面贴片型石英晶体谐振器,“SG-210SEB 26.0000MF3”,特别适用于有小型化要求的市场领域,比如智能手机,无线蓝牙,平板电脑等电子数码产品.晶振本身超小型,薄型,重量轻,晶体具有优良的耐环境特性,如耐热性,耐冲击性,在办公自动化,家电相关电器领域及Bluetooth,Wireless LAN等短距离无线通信领域可发挥优良的电气特性,满足无铅焊接的回流温度曲线要求.

订购热线：86-0755-27838351

EPSON晶振,贴片晶振,SG-210SEB晶振,“SG-210SEB 26.0000MF3”超小型表面贴片型SMD晶振,最适合使用在汽车电子领域中,也是特别要求高可靠性的引擎控制用CPU的时钟部分.低频晶振可从7.98MHz起对应,小型,超薄型具备强防焊裂性,石英晶体在极端严酷的环境条件下也能发挥稳定的起振特性,产品本身具有耐热,耐振,耐撞击等优良的耐环境特性,满足无铅焊接以及高温回流温度曲线要求,符合AEC-Q200标准.

石英晶振的切割设计：用不同角度对晶振的石英晶棒进行切割，可获得不同特性的石英晶片，“SG-210SEB 26.0000MF3”通常我们把晶振的石英晶片对晶棒坐标轴某种方位（角度）的切割称为石英晶片的切型。不同切型的石英晶片，因其弹性性质，压电性质，温度性质不同，其电特性也各异，石英晶振目前主要使用的有 AT 切、BT 切。其它切型还有 CT、DT、GT、NT 等。超小型石英贴片晶振晶片的设计：石英晶片的长宽尺寸已要求在±0.00２mm内，由于贴片晶振晶片很小导致晶体的各类寄生波(如长度伸缩振动，面切变振动)与主振动(厚度切变振动)的耦合加强，从而造成如若石英晶振晶片的长度或宽度尺寸设计不正确、使得振动强烈耦合导致石英晶振的晶片不能正常工作，从而导致产品在客户端不能正常使用，晶振的研发及生产超小型石英晶振完成晶片的设计特别是外形尺寸的设计是首要需解决的技术问题，公司在此方面通过理论与实践相结合，模拟出一整套此石英晶振晶片设计的计算机程序，该程序晶振的晶片外形尺寸已全面应用并取得很好的效果。

项目	符号	规格说明	条件
输出频率范围	f₀	2-60MHZ	请联系我们以便获取其它可用频率的相关信息
电源电压	V_CC	1.60 V to 3.63 V	请联系我们以了解更多相关信息
储存温度	T_stg	-55℃ to +125℃	裸存
工作温度	T_use	G: -40℃ to +85℃	请联系我们查看更多资料http://www.crystal95.com
		H: -40℃ to +105℃
		J: -40℃ to +125℃
频率稳定度	f_tol	J: ±50 × 10^-6
		L: ±100 × 10^-6
		T: ±150 × 10^-6
功耗	I_CC	3.5 mA Max.	无负载条件、最大工作频率
待机电流	I_std	3.3μA Max.	ST=GND
占空比	SYM	45 % to 55 %	50 % VCC 极, L_CMOS≦15 pF
输出电压	V_OH	V_CC-0.4V Min.
输出电压	V_OL	0.4 V Max.
输出负载条件	L_CMOS	15 pF Max.
输入电压	V_IH	80% V_CC Max.	ST 终端
输入电压	V_IL	20 % V_CC Max.	ST 终端
上升/下降时间	tr / tf	4 ns Max.	20 % V_CC to 80 % V_CC 极, L_CMOS=15 pF
振荡启动时间	t_str	3 ms Max.	t=0 at 90 %
频率老化	f_aging	±3 × 10^-6 / year Max.	+25 ℃, 初年度,第一年

高品质晶振,石英晶体振荡器,SG-210SEB晶振

那么温补晶振（TCXO）又有什么特点，温补晶振简单的来说就是在贴片晶振工作过程中起到温度补偿功能，“SG-210SEB 26.0000MF3”那怎么个温度补偿法呢？其实原理跟压控振荡器一样，比如说温补晶振电压有1.6V-1.8V-2.2V-2.8V-3V-3.3V-5V等几款常用电压。温补晶振在工作过程中如果遇到了温度变化很大的情况下，那这个时候温度补偿就起作用了，比如说温补晶振的基本精度要求是0.5PPM，常温要求是2ppm，那如果低温超出有源晶振的常温的情况下，晶体的温补功能就会把精度控制在一定的范围内，使精度变化在一个要求值的范围，稳定在高精度要求内给CPU提供稳定的信号。

爱普生晶振,贴片晶振,SG-210SEB晶振

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