86-0755-27838351
频率:5.000MHz~250.000MHz
尺寸:3.2*2.5*0.9mm
百利通亚陶晶振,台湾贴片晶振,NX31SB振荡器.贴片式石英晶体振荡器,低电压启动功率,并且有多种电压供选择,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,产品被广泛应用于,平板笔记本,GPS系统,光纤通道,千兆以太网,串行ATA,串行连接SCSI,PCI-Express的SDH/SONET发射基站等领域.符合RoHS/无铅.
Double Data Rate (DDR) 同步动态随机存取内存是用于计算机的内存等级. Diodes 可为高可用性通讯与网络设备(包括服务器、RAID 储存装置、工作站与删除重复数据设备)以及医疗装置与其他嵌入式系统的 DDR3、DDR2 和 DDR1 SRAM 提供频率及切换组件.该公司生产设施已达到 QS-9000、ISO-9001:2008、TS16949:2002 及 ISO 14001 认证的品质奖.Diodes 公司目前拥有 C-TPAT 认证.上述质量奖反映 Diodes 公司优异的品管技术,并进一步提升我们在重视质量与一致性的 OEM 业者心目中最佳晶振厂家的地位.产品聚焦于高成长终端用户设备市场,例如电视/卫星机顶盒、可携式 DVD 播放器、数据通讯设备、ADSL 调制解调器、电源供应器、医疗装置 (非维生装置/系统)、个人计算机与笔记本电脑、平面显示器、数字相机、手机、AC-DC 与 DC-DC 转换器、无线 802.11 LAN 存取点、无刷直流马达风扇、序列连接及汽车应用.
石英晶振真空退火技术:晶振高真空退火处理是消除有源晶振在加工过程中产生的应力及轻微表面缺陷.在PLC控制程序中输入已设计好的温度曲线,使真空室温度跟随设定曲线对晶体组件进行退火,石英晶振通过合理的真空退火技术可提高晶振主要参数的稳定性,以及提高石英晶振的年老化特性.
百利通亚陶晶振 |
NX31SB晶振 |
输出类型 |
LVCMOS |
输出负载 |
15pF |
振荡模式 |
基本/第三泛音 |
电源电压 |
+2.5V,+3.3V |
频率范围 |
5.000MHz~250.000MHz |
频率稳定度 |
±20ppm,±50ppm |
工作温度 |
-40℃~+85℃ |
保存温度 |
-55℃~+125℃ |
电压卷(最大值)/ VOH(最小值) |
0.1 VDD / 0.9 VDD |
启动时间 |
5 ms Max |
相位抖动(12兆赫~20兆赫) |
1个PS最大 |
老化率 |
±3 ppm /年最大 |
机械处理
当有源晶振发生外置撞击时,任何石英有源晶体振荡器在遭到外部撞击时,或者产品不小心跌落时,强烈的外置撞击都将会导致晶振损坏,或者频率不稳定现象.不执行任何强烈的冲击石英晶体振荡器.如果一个强大的冲击已经给振荡器确保在使用前检查其特点.
存储事项
(1)在更高或更低温度或高湿度环境下长时间保存进口贴片3225晶振产品时,会影响频率稳定性或焊接性.请在正常温度和湿度环境下保存这些晶体产品,并在开封后尽可能进行安装,以免长期储藏.
正常温度和湿度:温度:+15°C至+35°C,湿度25%RH至85%RH(请参阅“测试点JISC60068-1/IEC60068-1的标准条件”章节内容).
(2)请仔细处理内外盒与卷带.外部压力会导致卷带受到损坏.
自动安装时的冲击
自动安装和真空化引发的冲击会破坏产品特性并影响这些进口晶体振荡器.请设置安装条件以尽可能将冲击降至低,并确保在安装前未对产品特性产生影响.条件改变时,请重新检查安装条件.同时,在安装前后,请确保石英晶振未撞击机器或其他电路板等.
激励功率
在晶体单元上施加过多驱动力,会导致低功耗晶振特性受到损害或破坏.电路设计必须能够维持适当的激励功率(请参阅“激励功率”章节内容).
负极电阻
除非振荡回路中分配足够多的负极电阻,否则振荡或振荡启动时间可能会增加(请参阅“关于振荡”章节内容).
负载电容
振荡电路中负载电容的不同,可能导致振荡频率与设计频率之间产生偏差.试图通过强力调整,可能只会导致不正常的振荡.在使用之前,请指明该振动电路的负载电容(请参阅“负载电容”章节内容).
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