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百利通亚陶晶振,JT255晶振,温度补偿晶振

频率:16.369MHz

尺寸:2.5*2.0*0.8mm

温补晶振(TCXO)产品本身具有温度补偿作用,高低温度稳定性:频率精度高0.5PPM~2.0PPM,工作温度范围:-30度~85度,电源电压:1.8V~3.3V之间可供选择,产品本身具有温度电压控制功能,世界上最薄的有源晶振封装,频率:26兆赫,33.6兆赫,38.4兆赫,40兆赫,因产品性能稳定,精度高等优势,被广泛应用到一些比较高端的数码通讯产品领域,GPS全球定位系统,智能手机,WiMAX和蜂窝和无线通信等产品,符合RoHS/无铅.Crystal,石英晶振应用:数码相机,无线通讯,计算机,接口卡,电话,传呼机,遥控器,全球定位系统,MP3,MP4,MP5数码产品系列

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百利通亚陶晶振,JT255晶振,温度补偿晶振.2520mm体积的晶振,可以说是目前小型数码产品的福音,目前超小型的智能手机里面所应用的就是小型的石英晶振,该产品最适用于无线通讯系统,无线局域网,已实现低相位噪声,低电压,低消费电流和高稳定度,超小型,质量轻等产品特点,产品本身编带包装方式,可对应自动高速贴片机应用,以及高温回流焊接(产品无铅对应),为无铅产品.

石英晶振多层、多金属的溅射镀膜技术:是目前研发及生产高精度、高稳定性石英晶体元器件——石英晶振必须攻克的关键技术之一.石英晶振该选用何镀材、镀几种材料、几种镀材的镀膜顺序,镀膜的工艺方法(如各镀材的功率设计等).使用此镀膜方法使镀膜后的晶振附着力增强,贴片晶振频率更加集中,能控制在最小ppm之内.

Double Data Rate (DDR) 同步动态随机存取内存是用于计算机的内存等级. Diodes晶振可为高可用性通讯与网络设备(包括服务器、RAID 储存装置、工作站与删除重复数据设备)以及医疗装置与其他嵌入式系统的 DDR3、DDR2 和 DDR1 SRAM 提供频率及切换组件.该公司生产设施已达到 QS-9000、ISO-9001:2008、TS16949:2002 及 ISO 14001 认证的品质奖.Diodes 公司目前拥有 C-TPAT 认证.

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百利通亚陶晶振

JT255晶振

输出类型

      Clipped Sine wave

输出负载

10pF

振荡模式

基本/第三泛音

电源电压

+1.8V~+3.3V

频率范围

16.369MHz

频率稳定度

±2.0ppm

工作温度

-40℃~+85℃

保存温度

-40℃~+85℃

电压卷(最大值)/ VOH(最小值)

0.1 VDD / 0.9 VDD

启动时间

5 ms Max

相位抖动(12兆赫~20兆赫)

1个PS最大

老化率

±3 ppm /年最大

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JT255 2520 TCXO

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输出负载

建议将石英晶振输出负载安装在尽可能靠近振荡器的地方(在20 mm范围之间).

未用输入终端的处理

未用针脚可能会引起噪声响应,从而导致非正常工作.同时,当P通道和N通道都处于打开时,电源功率消耗也会增加;因此,请将未用输入终端连接到VCC 或GND.

热影响

重复的温度巨大变化可能会降低受损害的石英耐高温晶振产品特性,并导致塑料封装里的线路击穿.必须避免这种情况.

安装方向

振荡器的不正确安装会导致故障以及崩溃,因此安装时,请检查安装方向是否正确.

通电

不建议从中间电位和/或极快速通电,否则会导致无法产生振荡和/或非正常工作.

耐焊性:

将晶振加热包装材料至+150°C以上会破坏产品特性或损害产品.如需在+150°C以上焊接石英晶振,建议使用SMD晶振产品.在下列回流条件下,对石英晶振产品甚至SMD贴片晶振使用更高温度,会破坏晶振特性.建议使用下列配置情况的回流条件.安装这些贴片晶振之前,应检查焊接温度和时间.同时,在安装条件更改的情况下,请再次进行检查.如果需要焊接的晶振产品在下列配置条件下进行焊接,请联系我们以获取耐热的相关信息.

抗冲击 

抗冲击是指晶振产品可能会在某些条件下受到损坏.例如从桌上跌落,摔打,高空抛压或在贴装过程中受到冲击.如果产品已受过冲击请勿使用.因为无论何种石英超薄型晶振,其内部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都会给晶振照成不良影响. 

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