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百利通亚陶晶振,汽车电子晶振,HX501高品质振荡器

频率:1.750MHz~161.000MHz

尺寸:5.0*3.2*1.2mm

5032mm体积的石英晶体振荡器有源晶振,改产品可驱动2.5V的温补晶振,压控晶振,VC-TCXO晶体振荡器产品,电源电压的低电耗型,编带包装方式,可对应自动高速贴片机自动焊接,及IR回流焊接(无铅对应),为无铅产品,超小型,质地轻.产品被广泛应用到集成电路,程控交换系统,无线发射基站.
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百利通亚陶晶振,汽车电子晶振,HX501高品质振荡器.贴片石英晶振最适合用于车载电子领域的小型表面贴片石英晶体振荡器.也可对应有高可靠性要求的引擎控制用CPU的时钟部分简称为时钟晶体振荡器,在极端严酷的环境条件下也能发挥稳定的起振特性,产品本身具有耐热,耐振,耐撞击等优良的耐环境特性,满足无铅焊接的回流温度曲线要求,符合AEC-Q200标准.

Diodes 公司总部及美洲销售办公室位于美国德州普拉诺 (Plano) 与加州米尔皮塔斯 (Milpitas).设计、营销与工程中心位于普拉诺、米尔皮塔斯、台湾台北;台湾桃园市、台湾竹北市、英国曼彻斯特及德国纽豪斯 (Neuhaus).Diodes 百利通亚陶晶振的晶圆生产设施位于密苏里州堪萨斯市及曼彻斯特,另外在中国上海亦设有一座生产设施.Diodes 在中国上海、济南、成都、扬州,以及香港、纽豪斯及台北设有组装与测试设施.另外在多个据点设有工程、销售、仓储及物流办公室,包括台北、香港、曼彻斯特、中国上海、深圳、南韩城南市以及德国慕尼黑,并于世界各地设有支持办公室.

石英晶振在选用晶片时应注意温度范围、晶振温度范围内的频差要求,贴片晶振温度范围宽时(-40℃-85℃)晶振切割角度比窄温(-10℃-70℃)切割角度应略高.对于晶振的条片,长边为X轴,短边为Z轴,面为Y轴.对于圆片晶振,X、Z轴较难区分,所以石英晶振对精度要求高的产品(如部分定单的UM-1),会在X轴方向进行拉弦(切掉一小部分),以利于晶振的晶片有方向的装架点胶,点胶点点在Z轴上.保证晶振产品的温度特性.

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百利通亚陶晶振

HX501晶振

输出类型

        CMOS

输出负载

15pF

振荡模式

基本/第三泛音

电源电压

+1.8V,+2.5V,+3.3V

频率范围

1.750MHz~161.000MHz

频率稳定度

±50ppm

工作温度

-40℃~+125℃

保存温度

-55℃~+125℃

电压卷(最大值)/ VOH(最小值)

0.1 VDD / 0.9 VDD

启动时间

5 ms Max

相位抖动(12兆赫~20兆赫)

1个PS最大

老化率

±3 ppm /年最大

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HX501

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负极电阻

除非石英晶体振荡器回路中分配足够多的负极电阻,否则振荡或振荡启动时间可能会增加(请参阅“关于振荡”章节内容).

负载电容

有源5032晶振振荡电路中负载电容的不同,可能导致振荡频率与设计频率之间产生偏差.试图通过强力调整,可能只会导致不正常的振荡.在使用之前,请指明该振动电路的负载电容(请参阅“负载电容”章节内容).

有源晶振的负载电容与阻抗

负载电容与阻抗有源晶振设置一个规定的负载阻抗值.当一个值除了规定的一个设置为负载阻抗输出频率和输出电平不会满足时,指定的值这可能会导致问题例如:失真的输出波形.特别是设置电抗,根据规范的负载阻抗.输出频率和输出电平,当测量输出频率或输出水平,晶体振荡器调整的输入阻抗,测量仪器的负载阻抗晶体振荡器.当输入阻抗的测量仪器,不同的负载阻抗的晶体振荡器,测量输出频率或输出水平高,阻抗阻抗测量可以忽略.

电处理:

将电源连接到耐高温晶振指定的终端,确定正确的极性这目录所示.注意电源的正负电极逆转或者连接到一个终端以,以为外的指定一个产品部分内的石英晶振,假如损坏那将不会工作.此外如果外接电源电压高于晶振的规定电压值,就很可能会导致石英晶振产品损坏.所以外接电压很重要,一定要确保使用正确的额定电压的振荡,但如果电压低于额定的电压值部分产品将会不起振,或者起不到最佳精度.

机械处理

当有源晶振发生外置撞击时,任何石英晶体振荡器在遭到外部撞击时,或者产品不小心跌落时,强烈的外置撞击都将会导致晶振损坏,或者频率不稳定现象.不执行任何强烈的冲击石英晶体振荡器.如果一个强大的冲击已经给振荡器确保在使用前检查其特点.

激励功率

高精密石英晶振上施加过多驱动力,会导致产品特性受到损害或破坏.电路设计必须能够维持适当的激励功率 (请参阅“激励功率”章节内容).

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