HX2513F0026.000000,HX251晶振,高性能晶体振荡器

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百利通亚陶晶振,HX251晶振,贴片石英晶振

频率：26MHz

尺寸：2.5*2.0*0.9mm

有源晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS集成电路,产品本身已实现与薄型IC(TSSOP封装,TVSOP封装)同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接(无铅对应)产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要.

订购热线：86-0755-27838351

百利通亚陶晶振,HX251晶振,贴片石英晶振.小型SMD有源晶振,从最初超大体积到现在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm体积,有着翻天覆地的改变,体积的变小也试产品带来了更高的稳定性能,接缝密封石英晶体振荡器,精度高,覆盖频率范围宽的特点,SMD高速自动安装和高温回流焊设计,Optionable待机输出三态输出功能,电源电压范围:1.8V?5V,高稳定性,低抖动,低功耗,主要应用领域:无线通讯,高端智能手机,平板笔记本WLAN,蓝牙,数码相机,DSL和其他IT产品的晶振应用,三态功能,PC和LCDM等高端数码领域,符合RoHS/无铅.

Diodes 的产品包括二极管、整流器、晶体管、MOSFET、保护装置、特定功能数组、单闸极逻辑、放大器与比较器、霍尔效应与温度传感器、电源管理装置 (包括 LED 驱动器)、AC-DC 转换器与控制器、DC-DC 开关与线性稳压器,以及电压参考与特殊功能装置 (例如 USB 电源开关、负载开关、电压监控器及马达控制器).Double Data Rate (DDR) 同步动态随机存取内存是用于计算机的内存等级. Diodes晶振可为高可用性通讯与网络设备（包括服务器、RAID 储存装置、工作站与删除重复数据设备）以及医疗装置与其他嵌入式系统的 DDR3、DDR2 和 DDR1 SRAM 提供频率及切换组件.

石英晶振的切割设计:用不同角度对晶振的石英晶棒进行切割,可获得不同特性的石英晶片,通常我们把晶振的石英晶片对晶棒坐标轴某种方位(角度)的切割称为石英晶片的切型.不同切型的石英晶片,因其弹性性质,压电性质,温度性质不同,其电特性也各异,石英耐高温晶振目前主要使用的有AT切、BT切.其它切型还有CT、DT、GT、NT等.

百利通亚陶晶振	HX251晶振
输出类型	CMOS
输出负载	15pF
振荡模式	基本/第三泛音
电源电压	+1.8V，+2.5V，+3.3V
频率范围	26MHz
频率稳定度	±50ppm
工作温度	-40℃~+125℃
保存温度	-55℃~+125℃
电压卷（最大值）/ VOH（最小值）	0.1 VDD / 0.9 VDD
启动时间	5 ms Max
相位抖动（12兆赫~20兆赫）	1个PS最大
老化率	±3 ppm /年最大

HX251

粘合剂

请勿使用可能导致石英晶振所用的封装材料,终端,组件,玻璃材料以及气相沉积材料等受到腐蚀的胶粘剂.（比如,氯基胶粘剂可能腐蚀一个数码电子晶振的金属“盖”,从而破坏密封质量,降低性能.）

抗冲击

抗冲击是指晶振产品可能会在某些条件下受到损坏.例如从桌上跌落,摔打,高空抛压或在贴装过程中受到冲击.如果产品已受过冲击请勿使用.因为无论何种石英晶振,其内部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都会给晶振照成不良影响.

存储事项

(1) 在更高或更低温度或高湿度环境下长时间保存晶振时,会影响频率稳定性或焊接性.请在正常温度和湿度环境下保存这些石英晶振产品,并在开封后尽可能进行安装,以免长期储藏.

正常温度和湿度:

温度：+15°C 至 +35°C,湿度 25 % RH 至 85 % RH（请参阅“测试点JIS C 60068-1 / IEC 60068-1的标准条件”章节内容）.

(2) 请仔细处理内外盒与卷带.外部压力会导致卷带受到损坏.

电源线路

电源的线路阻抗应尽可能低.

输出负载

建议将石英晶振输出负载安装在尽可能靠近振荡器的地方（在20 mm范围之间）.

未用输入终端的处理

未用针脚可能会引起噪声响应,从而导致非正常工作.同时,当P通道和N通道都处于打开时,电源功率消耗也会增加；因此,请将未用输入终端连接到VCC 或GND.

热影响

重复的温度巨大变化可能会降低受损害的低损耗晶振产品特性,并导致塑料封装里的线路击穿.必须避免这种情况.

安装方向

振荡器的不正确安装会导致故障以及崩溃,因此安装时,请检查安装方向是否正确.

通电

不建议从中间电位和/或极快速通电,否则会导致无法产生振荡和/或非正常工作.

深圳市康华尔电子有限公司

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