康华尔电子有限公司——晶振行业进口晶振品牌代理商

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康华尔电子-中国供应商

KONUAER NIHON DEMPA KOGYO CO., LTD.

客户至上—进口晶振品牌选择康华尔

深圳市康华尔电子有限公司

专营晶振二十年

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晶振厂家

康华尔电子成立至今已有20多年,是国内数一数二的晶振厂家0755-27838351,专业研发生产销售石英晶振,32.768K晶振,石英晶体谐振器,贴片晶振,SAW滤波器等.采用无铅环保材料生产,具有精度稳定,小体积,重量轻等特点.国产晶振就选康华尔电子,质量好,精度高,价格优势.

台产晶振

康华尔电子多年来在竞争激烈的市场中,以技术占领市场,以质量赢得客户,是国内口碑极高的晶振供应商.并且凭借自身的努力代理台湾进口晶振多个品牌,TXC晶振,鸿星晶振,加高晶振,亚陶晶振等.康华尔电子所提供的台产晶振,均符合德国ROHS环保指令,具有高质量,高可靠使用特性,咨询选购热线0755-27838351.

日产晶振

日本进口晶振在国内口碑一流,高端智能产品使用晶振大都会选择日产晶振作为首选.康华尔电子凭借自身的努力同时代理KDS晶振,爱普生晶振,精工晶体,京瓷晶振等品牌.所代理石英晶振,石英晶体振荡器,贴片晶体均符合欧盟ROHS环保要求,具有高精度,高品质,低插损,耐高温等特点.

欧美晶振

康华尔电子是国内优秀的欧美进口晶振供货商0755-27838351,多年来凭借自身的努力,获得CTS晶振,FOX晶振,Sitime晶振,瑞康晶振等代理权限.所代理进口晶振,欧美晶振均符合欧盟ROHS环保指令,并且获得ISO国际质量管理体系认证.市场常用进口晶振封装型号康华尔电子均有备货,可免费提供现货样品以及晶振技术解决方案.

32.768K

32.768K是晶振频率中最容易让人记住的数字,32.768K晶振素来有时钟晶振的称谓,只要跟数字显示以及时间相关的产品都少不了一款32.768K晶振.根据不同的产品需求主要分为圆柱晶振和32.768K贴片晶振.常见封装有2x6,3x8,7.0x1.5,3.2x1.5,2.0x1.2等体积.康华尔电子提供各种32.768K晶振,音叉表晶,价格优质,咨询热线0755-27838351.

有源晶振

有源晶振是一款自身带有电源电压功能的石英晶体振荡器,并且有多种电压供选择,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等高速自动安装和高温回流焊设计,Optionable待机输出三态输出功能,电源电压范围：1.8V~5 V,高稳定性,低抖动,低功耗,主要应用领域:无线通讯,高端智能手机,平板笔记本WLAN,蓝牙,数码相机,DSL和其他IT产品的晶振应用,三态功能,PC和LCDM等高端数码领域,符合RoHS/无铅.

行业资讯

康华尔电子拥有先进的设备,一流的生产技术,致力于为用户提供小型,薄型,高精密石英晶振,贴片晶体,石英晶体振荡器.多年来康华尔电子通过自身努力,获得多个进口贴片晶振品牌代理权限,比如,KDS晶振,NDK晶振,京瓷晶振,TXC晶振,鸿星晶振,CTS晶振,IDT晶振等.康华尔进口晶振代理商,所提供产品均符合国际ROHS环保指令,并且获得ISO9001国际认证,产品价格优势,交期快,咨询热线0755-27838351.

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X1G005591031100日本EPSON爱普生石英晶体振荡器的结构变化

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 浏览：- 发布日期：2022-08-31 18:08:53【大 中 小】
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X1G005591031100日本EPSON爱普生石英晶体振荡器的结构变化
金属壳封装等效电路与金属板之间的静电电容；L、C为压电谐振的等效参量；R为振动磨擦损耗的等效电阻.石英晶体谐振器存在一个串联谐振频率fos（1/2π）,爱普生晶振同时也存在一个并联谐振频率fop（1/2π).由于CoC,fop与fos之间之差值很小,并且RωOL,R1/ωOC,所以谐振电路的品质因数Q非常高（可达数百万）.

X1G005591031100日本EPSON晶振,爱普生石英晶体振荡器

爱普生有源晶振编码 型号 频率 长X宽X高 输出波 电源电压 工作温度 频差 最大值
X1G005591006000 SG-8018CE 23.040000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 4.4 mA
X1G005591006100 SG-8018CE 28.636360 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 4.4 mA
X1G005591006200 SG-8018CE 14.430000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 3.5 mA
X1G005591006300 SG-8018CE 8.439025 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 3.5 mA
X1G005591006400 SG-8018CE 29.491200 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 4.4 mA
X1G005591006500 SG-8018CE 22.222200 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 4.4 mA
X1G005591031100 SG-8018CE 30.000000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 4.4 mA
X1G005591006600 SG-8018CE 19.660800 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 3.5 mA
X1G005591006700 SG-8018CE 6.000000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 3.5 mA
X1G005591006800 SG-8018CE 7.680000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 3.5 mA
X1G005591006900 SG-8018CE 74.250000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 5.2 mA
X1G005591007000 SG-8018CE 88.888000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 5.9 mA
X1G005591007100 SG-8018CE 88.888000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 5.9 mA
X1G005591007200 SG-8018CE 12.500000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 3.5 mA
X1G005591007300 SG-8018CE 148.500000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 8.1 mA
X1G005591007400 SG-8018CE 74.250000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 5.2 mA
X1G005591007500 SG-8018CE 57.272720 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 5.2 mA
X1G005591007600 SG-8018CE 37.125000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 4.4 mA
X1G005591007700 SG-8018CE 19.200000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 3.5 mA
X1G005591007800 SG-8018CE 6.005284 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 3.5 mA
X1G005591007900 SG-8018CE 57.209760 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 5.2 mA
X1G005591008000 SG-8018CE 10.000000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 3.5 mA
X1G005591008100 SG-8018CE 133.000000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 8.1 mA
X1G005591008200 SG-8018CE 32.400000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 4.4 mA
X1G005591008300 SG-8018CE 22.579200 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 4.4 mA
石英晶振振荡器SPXO的总精度（包括起始精度和随温度、电压及负载产生的变化）可以达到±25ppm.SPXO既无温度补偿也无温度控制措施,其频率温度特性几乎完全由石英晶体振子的频率温度特性所决定.在0～70℃范围内,日产晶振SPXO的频率稳定度通常为20～1000ppm,SPXO可以用作钟频振荡器.温度补偿晶体振荡器TCXO是通过附加的温度补偿电路使由周围温度变化产生的振荡频率变化量削减的一种石英晶体振荡器.X1G005591031100日本EPSON晶振,爱普生石英晶体振荡器

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从而使石英晶体谐振器组成的振荡器频率稳定度十分高,可达10－12/日.石英晶体振荡器的振荡频率既可近似工作于fos处,有源晶体振荡器也可工作在fop附近,因此石英晶体振荡器可分串联型和并联型两种.用石英晶体谐振器及其等效电路,取代LC振荡器中构成谐振回路的电感（L）和电容（C）元件,则很容易理解晶体振荡器的工作原理.X1G005591031100日本EPSON晶振,爱普生石英晶体振荡器

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