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日本进口晶振在国内口碑一流,高端智能产品使用晶振大都会选择日产晶振作为首选.康华尔电子凭借自身的努力同时代理KDS晶振,爱普生晶振,精工晶体,京瓷晶振等品牌.所代理石英晶振,石英晶体振荡器,贴片晶体均符合欧盟ROHS环保要求,具有高精度,高品质,低插损,耐高温等特点.
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32.768K是晶振频率中最容易让人记住的数字,32.768K晶振素来有时钟晶振的称谓,只要跟数字显示以及时间相关的产品都少不了一款32.768K晶振.根据不同的产品需求主要分为圆柱晶振和32.768K贴片晶振.常见封装有2x6,3x8,7.0x1.5,3.2x1.5,2.0x1.2等体积.康华尔电子提供各种32.768K晶振,音叉表晶,价格优质,咨询热线0755-27838351.
有源晶振是一款自身带有电源电压功能的石英晶体振荡器,并且有多种电压供选择,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等高速自动安装和高温回流焊设计,Optionable待机输出三态输出功能,电源电压范围：1.8V~5 V,高稳定性,低抖动,低功耗,主要应用领域:无线通讯,高端智能手机,平板笔记本WLAN,蓝牙,数码相机,DSL和其他IT产品的晶振应用,三态功能,PC和LCDM等高端数码领域,符合RoHS/无铅.
SiTime MEMS振荡器采用标准半导体封装工艺,采用MEMS谐振器和CMOS芯片构建.由于迄今为止已售出的2.5亿个产品中没有MEMS谐振器故障,我们无法计算MEMS的激活能量（Ea）.因此，我们使用CMOS的行业标准Ea=0.7eV作为产品的Ea.我们使用设备最差情况元素的Ea作为Ea来计算我们产品的可靠性指标,FIT和MTBF.
精密的MEMS贴片式晶体振荡器需要一个温度-数字转换器(TDC)来调整分数N PLL的倍增因子,以便补偿MEMS谐振器在整个温度范围内的频率变化.然而,这种补偿为TDC的噪声作为相位噪声(PN)传播到温补晶振的输出提供了一条路径.以前的工作已经试图通过使用高分辨率TDC来最小化这种噪声，例如，描述的基于MEMS热敏电阻的TDC。本文介绍了一种基于双MEMS晶振的TDC，它对振荡器PN没有显着影响。在130Hz带宽（BW）中，传感器实现了40μK的热噪声限制分辨率，导致分辨率FOM（能量/转换×分辨率2）为0.12pJK2，比现有技术高5倍。
电信应用要求在1s积分时间内具有优于10-10的Allan偏差（ADEV）的时钟，或者对于48MHz金属面时钟晶振在1Hz偏移频率下具有小于-59dBc的PN，降低30dB/十倍。此类应用还需要-40至85°C的±0.1ppm频率稳定性，必须在1°C/s的温度斜坡和热瞬态期间保持，通常在100Hz带宽内。本工作中描述的MEMS振荡器满足PN要求，无需温度补偿（XO）。但是，为了满足稳定性要求，温度补偿（TCXO）是必不可少的。
最佳报告的TDC分辨率为100μK（rms），10S/s，FOM为13pJK2。在这项工作中，MEMS频率变化高达1ppm/K.为避免降低TCXO PN，需要在200S/s下至少50μK的TDC分辨率。为了满足这一要求而扩展架构将需要1W的功耗。VCXO晶振传感器实现了迄今为止最佳的能效，FOM为0.52pJK2，但在10mK（rms）时，其分辨率远远不够。此外，这两个最佳示例都是基于热敏电阻的，并且在整个寿命期间不太可能满足±0.1ppm的稳定性要求（包括滞后）。其他TDC类型，例如基于BJT的传感器，尚未达到所需的分辨率和能量效率。所提出的双MEMS谐振器TDC在这项工作中使我们能够同时实现目标分辨率，BW，FOM和稳定性。
图1描述了可编程石英晶体振荡器，在一个芯片上有两个MEMS谐振器，连接到CMOS芯片，包括两个振荡器维持电路，一个频率比引擎和一个频率合成器。在该架构中，温度信息来自两个MEMS频率的比率：温度检测频率fTS（45MHz）和温度平坦频率fTF（47MHz），温度系数为-7ppm/K和1ppm/K,分别。因此它们的比率具有约-8ppm/K的温度系数.
图2显示了频率比引擎，它由一个嵌套在另一个内的PLL组成。数字PLL（DPLL）将fTS锁定为由嵌套模拟小数N分频PLL（APLL）提供的fTF的缩放值，并用作DPLL的数控振荡器（DCO）。 APLL的小数除法值是两个频率的缩放比率。DCO的输出频率除以10，以优化所用过程中的功率和性能。小数除法值应用于由7阶多项式和椭圆低通滤波器组成的TDC数据路径。然后，通过修改频率合成器的可编程倍频器（PFM）值，滤波后的结果用于稳定参考频率fTF，从而在合成器的输出端产生稳定的频率。
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