FYQ晶振,耐高温晶振,石英晶体谐振器

百利通亚陶晶振,高精密石英晶振,FYQ晶体.石英晶振的切割设计:用不同角度对晶振的石英晶棒进行切割,可获得不同特性的石英晶片,通常我们把晶振的石英晶片对晶棒坐标轴某种方位(角度)的切割称为石英晶片的切型.不同切型的石英晶片,因其弹性性质,压电性质,温度性质不同,其电特性也各异,石英晶振目前主要使用的有AT切、BT切.其它切型还有CT、DT、GT、NT等.

石英晶振多层、多金属的溅射镀膜技术:是目前研发及生产高精度、高稳定性石英晶体元器件——石英晶振必须攻克的关键技术之一.石英晶振该选用何镀材、镀几种材料、几种镀材的镀膜顺序,镀膜的工艺方法(如各镀材的功率设计等).使用此镀膜方法使镀膜后的SMD晶振附着力增强,贴片晶振频率更加集中,能控制在最小ppm之内.

Diodes 公司总部及美洲销售办公室位于美国德州普拉诺 (Plano) 与加州米尔皮塔斯 (Milpitas).设计、营销与工程中心位于普拉诺、米尔皮塔斯、台湾台北；台湾桃园市、台湾竹北市、英国曼彻斯特及德国纽豪斯 (Neuhaus).Diodes 的晶圆生产设施位于密苏里州堪萨斯市及曼彻斯特,另外在中国上海亦设有一座生产设施.Diodes 百利通亚陶晶振在中国上海、济南、成都、扬州,以及香港、纽豪斯及台北设有组装与测试设施.另外在多个据点设有工程、销售、仓储及物流办公室,包括台北、香港、曼彻斯特、中国上海、深圳、南韩城南市以及德国慕尼黑,并于世界各地设有支持办公室.

百利通亚陶晶振	单位	FYQ晶振	石英晶振基本条件
标准频率	f_nom	8.000MHz~125.000MHz	标准频率
储存温度	T_stg	-55℃~+125℃	裸存
工作温度	T_use	-20℃~+70℃ -40℃~+85℃	标准温度
激励功率	DL	1.0μW Max.	推荐:10μW
频率公差	f_— l	±10ppm~±50ppm	+25°C对于超出标准的规格说明, 请联系我们以便获取相关的信息,http://www.crystal95.com/
频率温度特征	f_tem	30 × 10-6，±50 × 10-6	超出标准的规格请联系我们.
负载电容	CL	8pF~32pF	不同负载要求,请联系我们.
串联电阻(ESR)	R1	如下表所示	-40°C — +85°C,DL = 100μW
频率老化	f_age	±3× 10-6/year Max.	+25°C,第一年

FYQ 5032

有源晶振的负载电容与阻抗

负载电容与阻抗无源晶振设置一个规定的负载阻抗值.当一个值除了规定的一个设置为负载阻抗输出频率和输出电平不会满足时,指定的值这可能会导致问题例如：失真的输出波形.特别是设置电抗,根据规范的负载阻抗.输出频率和输出电平,当测量输出频率或输出水平,晶体振荡器调整的输入阻抗,测量仪器的负载阻抗晶体振荡器.当输入阻抗的测量仪器,不同的负载阻抗的晶体振荡器,测量输出频率或输出水平高,阻抗阻抗测量可以忽略.

机械处理

当有源晶振发生外置撞击时,任何石英晶体振荡器在遭到外部撞击时,或者产品不小心跌落时,强烈的外置撞击都将会导致晶振损坏,或者频率不稳定现象.不执行任何强烈的冲击石英晶体振荡器.如果一个强大的冲击已经给振荡器确保在使用前检查其特点.

自动安装时的冲击:

石英晶振自动安装和真空化引发的冲击会破坏产品特性并影响这些产品.请设置安装条件以尽可能将冲击降至最低,并确保在安装前未对高质量石英晶振特性产生影响.条件改变时,请重新检查安装条件.同时,在安装前后,请确保石英晶振产品未撞击机器或其他电路板等.

粘合剂

请勿使用可能导致高精度石英晶振所用的封装材料,终端,组件,玻璃材料以及气相沉积材料等受到腐蚀的胶粘剂.（比如,氯基胶粘剂可能腐蚀一个晶振的金属“盖”,从而破坏密封质量,降低性能.

如何正确的使用有源晶振

电处理:

将电源连接到有源晶振指定的终端,确定正确的极性这目录所示.注意电源的正负电极逆转或者连接到一个终端以,以为外的指定一个产品部分内的石英晶振,假如损坏那将不会工作.此外如果外接电源电压高于晶振的规定电压值,就很可能会导致石英晶振产品损坏.所以外接电压很重要,一定要确保使用正确的额定电压的振荡,但如果电压低于额定的电压值部分产品将会不起振,或者起不到最佳精度.