日本株式会社大真空KDS晶振自1959年建立以来一直遵从的三个理念“依赖”于“可靠的人”“可靠的产品”和“可靠的公司”.作为全球石英器件制造商,大真空KDS晶振努力帮助实现新一代电子社会,更方便人们更舒适,通过开发石英晶振, 压控晶体振荡器（VCXO）、温补晶体振荡器（TCXO）、恒温晶体振荡器（OCXO）、陶瓷谐振器等晶体器件对全球环境友好.
日本株式会社大真空KDS晶振发展史：
1959年在在神户市成立加工电子零件和石英晶体,进口晶振,爱普生晶体,KDS晶振,石英水晶振荡子.
1963公司变更为合股公司组织.
1965开始大规模生产石英晶体谐振器,32.768K钟表晶振,温补晶振,石英晶体振荡器等部件.
1970年日本株式会社大真空KDS晶振在东京办事处开业.
1973年开设kurodasho厂（现在的西胁工厂）生产晶体管.
1974年开设川厂（现在的凉厂）是目前人造石英晶体,（SPXO）普通晶体振荡器,(TCXO)温补晶体振荡器,(OCXO)恒温晶体振荡器等生产规模最大的.
1976年开设宫崎厂（目前九州大真空公司）为音叉型石英晶体谐振器生产,在加古川市完成新总部.
1977年成立和谐电子公司建立大真空（美国）有限公司开始向美国市场供应晶体谐振器.
1980年开设鸟取工厂（目前鸟取生产部）对晶体谐振器生产增加.同年开始生产石英晶体滤波器和晶振时钟.
1981年建立大真空（香港）公司开始提供音叉型石英晶体谐振器,晶体振荡器,有源晶振的香港和中国市场.
1983年大阪证券交易所二期上市.
1984年独立完成中心实验室,开设德岛工厂（目前德岛生产部）作为人造石英晶体的稳定的生产基地,部分设备和石英谐振器,开始大规模生产光学低通滤波器.
1985年打开德岛第二厂开始生产陶瓷产品,有源晶振,压控振荡器,陶瓷晶振,声表面谐振器,贴片晶振,陶瓷雾化片打开配送中心在加古川市.
1987名古屋办事处开业.开始的温度补偿晶体振荡器（TCXO）生产和电压控制晶体振荡器（VCXO）.
1988建立大真空（新加坡）有限公司加强在东盟地区销售.
1989更改公司名称大真空第三十周年.建立了PT.KDS印度尼西亚启动海外生产晶体谐振器.
1990-1991大阪证券交易所第一节上市.建立大真空（德国）公司加强在欧洲的销售.
1993建立了天津该公司开始音叉型石英晶体谐振器,石英水晶振荡子,陶瓷振动子,32.768K,时钟晶体,压电石英晶体的海外生产.
1996日本株式会社大真空KDS晶振获得ISO9001（国际标准化组织质量管理标准）.
1998（获得QS9000质量标准/汽车质量保证管理体系.）
2000获得ISO14001（环境管理体系由国际标准化组织）,获得ISO / TS 16949（技术规范由国际标准化组织）.
2003扩大生产规模天津加工厂面积,成立上海锐致国际贸易有限公司加强在中国的销售.以和谐电子公司为我公司的综合子公司加强石英晶振,压控晶体振荡器（VCXO）、温补晶体振荡器（TCXO）、恒温晶体振荡器（OCXO）、陶瓷谐振器等器件业务.
2010日本株式会社大真空KDS晶振建立大真空（泰国）有限公司.
2012日本株式会社大真空KDS晶振扩大在加古川市中央实验室的地板尺寸.
2013东京证券交易所第一节上市.
KDS晶振,32.768K贴片晶振,DST311S晶振,日本进口贴片晶振品牌【EPSON】日本爱普生【SEIKO】日本精工【KDS】日本大真空【CITIZEN】日本西铁城【RIVER】日本大河【kyocera】日本京瓷32.768KHZ系列,在当今全球晶振市场说的上是质优价廉,产品本身外观是多种化,体积有大有小,有二个脚SMD焊接模式,也有三个脚SMD焊接模式,一样有四个脚焊接模式,还有时钟模块焊接模式,产品具有无源32.768KHZ,也有带电压模式的32.768KHZ晶体系列,产品应用范围非常广阔,比如多种电子消费类,手机应用,蓝牙多功能播放器,无线通讯产品,平板电脑等多个领域,因32.768KHZ晶体本身外观款式多元化,所以适合多个产品应用.并且满足欧盟ROHS环保要求,晶体本身有重量轻,体积小,超薄型等多种优势,得到市场认可.
石英晶振高精度晶片的抛光技术：贴片晶振是目前晶片研磨技术中表面处理技术的最高技术,最终使晶振晶片表面更光洁,平行度及平面度更好,降低谐振电阻,提高Q值.从而达到一般研磨所达不到的产品性能,使石英晶振的等效电阻等更接近理论值,使晶振可在更低功耗下工作.使用先进的牛顿环及单色光的方法去检测晶片表面的状态.
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KDS晶振规格 |
单位 |
DST311S晶振频率范围 |
石英晶振基本条件 |
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标准频率 |
f_nom |
32.768KHZ |
标准频率 |
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储存温度 |
T_stg |
-40°C ～ +85°C |
裸存 |
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工作温度 |
T_use |
-40°C ～ +85°C |
标准温度 |
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激励功率 |
DL |
200μW Max. |
推荐:1μW ～ 100μW |
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频率公差 |
f_— l |
±50 × 10-6(标准), |
+25°C 对于超出标准的规格说明, |
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频率温度特征 |
f_tem |
±30 × 10-6/-20°C ～ +70°C |
超出标准的规格请联系我们. |
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负载电容 |
CL |
12.5pF ～ ∞ |
不同负载要求,请联系我们. |
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串联电阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C,DL = 100μW |
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频率老化 |
f_age |
±5 × 10-6/ year Max. |
+25°C,第一年 |
在使用KDS晶振时应注意以下事项
1：抗冲击
抗冲击是指晶振产品可能会在某些条件下受到损坏.例如从桌上跌落,摔打,高空抛压或在贴装过程中受到冲击.如果产品已受过冲击请勿使用.因为无论何种石英晶振,其内部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都会给晶振照成不良影响.
2：辐射
将贴片晶振暴露于辐射环境会导致产品性能受到损害,因此应避免阳光长时间的照射.
3：化学制剂 / pH值环境
请勿在PH值范围可能导致腐蚀或溶解石英晶振或包装材料的环境下使用或储藏这些产品.KDS晶振,32.768K贴片晶振,DST311S晶振
4：粘合剂
请勿使用可能导致石英晶振所用的封装材料,终端,组件,玻璃材料以及气相沉积材料等受到腐蚀的胶粘剂.（比如,氯基胶粘剂可能腐蚀一个晶振的金属“盖”,从而破坏密封质量,降低性能.）
5：卤化合物
请勿在卤素气体环境下使用晶振.即使少量的卤素气体,比如在空气中的氯气内或封装所用金属部件内,都可能产生腐蚀.同时,请勿使用任何会释放出卤素气体的树脂.
6：静电
过高的静电可能会损坏贴片晶振,请注意抗静电条件.请为容器和封装材料选择导电材料.在处理的时候,请使用电焊枪和无高电压泄漏的测量电路,并进行接地操作.
EPSON晶振,32.768K晶振,FC-13A晶振,X1A000091000100晶振
爱普生晶振,贴片晶振,FC-135晶振,FC-135R晶振,Q13FC1350000400晶振