TCXO和OCXO技术之间的区别

TCXO和OCXO技术之间的比较,集成电路技术的进步使得OCXO和TCXO模糊了他们的历史差异。随着技术的进步，这两种类型的振荡器使得许多设计者很难确定哪种技术是合适的,对于特定的应用。本应用笔记旨在为设计人员提供一个比较OCXO和TCXO的，以帮助作出更明智的选择，并实现给定应用的最佳性能

OCXO恒温晶振和TCXO温补晶振技术之间的当前分界线大约是0.28 PPM的水平,超过所需的温度范围。TCXO为第三层应用开发提高了温度范围内的稳定性，接近传统的稳定性,由OCXO实现的。由于这两种技术都适用于应用程序，这可能会造成混淆,决定哪一个最适合给定的应用。

TCXO是一种温补晶体振荡器，具有施加到电压上的校正电压 控制引脚。该电压随温度变化，使频率回到标称值。这应用在规格的整个频率范围内使用晶体。任何水晶耦合模式等相关问题无法校正，并且会叠加在频率-温度曲线上。这使得晶体的设计和制造变得困难,也是TCXO的重要组成部分。

大多数TCXO需要电压控制功能。这允许精确设置频率，针对长期老化的调整，以及将器件锁相至其它信号源的能力。这功能VCTCXO(压控温补振荡器)通过调节晶体上的负载电容来工作。这些调整所带来的变化应该 被考虑为紧公差的TCXO氏症。用于调节频率的电容有一个 温度系数，该温度系数会改变电容的标称值 温度过高。这种变化对晶体的补偿有影响。精度较低 TCXO的这一点通常被忽略，但当TCXO精度达到并超过0.5 ppm水平时，这些不能再忽视效果了。在典型的应用中，单位需要从 精确校准为0.5-2 ppm。然后，该装置将需要调整以获得长期稳定性(老化)。

恒温控制晶体振荡器(OCXO)通常用于高精度频率应用。这种方法将晶体和相关的振荡器电路加热到水晶。OCXO应用中使用的上转折点的一部分。这些振荡器的晶体是这样制造的，即上转折点高于最高点 额定温度范围。晶体和相关电路被加热到并保持在晶体上该点周围的温度窗口变窄，设备被调谐到频率那个温度

温度稳定的环境具有一些固有的优点。这种方法大大地降低前面提到的温度系数效应。当EFC变化+/-4 ppm和+/- 8 ppm时，OCXO的频率温度特性去TCXO。数据显示与控制电压变化相关的OCXO的稳定性在范围内与50-100 ppb的TCXO相比，其为5-10 ppb

OCXO具有在非常窄的温度范围内锻炼石英晶体的额外优势窗口，通常为几度或更小。这大大减少了激发不必要的机会晶体中的模式。这种方法的最大缺点是设备的尺寸和电源要求。随着技术的发展，这些设备的尺寸和功率需求设备继续减少。

在选择合适的器件之前，需要考虑的关键问题是随着校准和长期稳定性所需的调整，频率稳定性发生变化， (老化)。OCXO对这些影响的敏感度只有TCXO的四分之一。这应该是在考虑产品的寿命时要考虑到这一点。OCXO和TCXO产品之间需要考虑的差异。一般来说，当尺寸和功率对应用至关重要时，首选TCXO。这些往往是手持或电池供电设备。就频率而言，OCXO的产品更强劲稳定。这种类型的产品往往更适合通信/网络应用。有助于指导设计者为其应用选择最合适的技术。