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X1G005591031100日本EPSON爱普生石英晶体振荡器的结构变化

2022-08-31 18:08:53 康华尔电子

X1G005591031100日本EPSON爱普生石英晶体振荡器的结构变化
金属壳封装等效电路与金属板之间的静电电容；L、C为压电谐振的等效参量；R为振动磨擦损耗的等效电阻.石英晶体谐振器存在一个串联谐振频率fos（1/2π）,爱普生晶振同时也存在一个并联谐振频率fop（1/2π).由于CoC,fop与fos之间之差值很小,并且RωOL,R1/ωOC,所以谐振电路的品质因数Q非常高（可达数百万）.

X1G005591031100日本EPSON晶振,爱普生石英晶体振荡器

爱普生有源晶振编码 型号 频率 长X宽X高 输出波 电源电压 工作温度 频差 最大值
X1G005591006000 SG-8018CE 23.040000MHz 3.20x2.50x1.20mm CMOS 1.620to3.630V -40to105°C +/-50ppm ≤4.4mA
X1G005591006100 SG-8018CE 28.636360MHz 3.20x2.50x1.20mm CMOS 1.620to3.630V -40to105°C +/-50ppm ≤4.4mA
X1G005591006200 SG-8018CE 14.430000MHz 3.20x2.50x1.20mm CMOS 1.620to3.630V -40to105°C +/-50ppm ≤3.5mA
X1G005591006300 SG-8018CE 8.439025MHz 3.20x2.50x1.20mm CMOS 1.620to3.630V -40to105°C +/-50ppm ≤3.5mA
X1G005591006400 SG-8018CE 29.491200MHz 3.20x2.50x1.20mm CMOS 1.620to3.630V -40to105°C +/-50ppm ≤4.4mA
X1G005591006500 SG-8018CE 22.222200MHz 3.20x2.50x1.20mm CMOS 1.620to3.630V -40to105°C +/-50ppm ≤4.4mA
X1G005591031100 SG-8018CE 30.000000MHz 3.20x2.50x1.20mm CMOS 1.620to3.630V -40to105°C +/-50ppm ≤4.4mA
X1G005591006600 SG-8018CE 19.660800MHz 3.20x2.50x1.20mm CMOS 1.620to3.630V -40to105°C +/-50ppm ≤3.5mA
X1G005591006700 SG-8018CE 6.000000MHz 3.20x2.50x1.20mm CMOS 1.620to3.630V -40to105°C +/-50ppm ≤3.5mA
X1G005591006800 SG-8018CE 7.680000MHz 3.20x2.50x1.20mm CMOS 1.620to3.630V -40to105°C +/-50ppm ≤3.5mA
X1G005591006900 SG-8018CE 74.250000MHz 3.20x2.50x1.20mm CMOS 1.620to3.630V -40to105°C +/-50ppm ≤5.2mA
X1G005591007000 SG-8018CE 88.888000MHz 3.20x2.50x1.20mm CMOS 1.620to3.630V -40to105°C +/-50ppm ≤5.9mA
X1G005591007100 SG-8018CE 88.888000MHz 3.20x2.50x1.20mm CMOS 1.620to3.630V -40to105°C +/-50ppm ≤5.9mA
X1G005591007200 SG-8018CE 12.500000MHz 3.20x2.50x1.20mm CMOS 1.620to3.630V -40to105°C +/-50ppm ≤3.5mA
X1G005591007300 SG-8018CE 148.500000MHz 3.20x2.50x1.20mm CMOS 1.620to3.630V -40to105°C +/-50ppm ≤8.1mA
X1G005591007400 SG-8018CE 74.250000MHz 3.20x2.50x1.20mm CMOS 1.620to3.630V -40to105°C +/-50ppm ≤5.2mA
X1G005591007500 SG-8018CE 57.272720MHz 3.20x2.50x1.20mm CMOS 1.620to3.630V -40to105°C +/-50ppm ≤5.2mA
X1G005591007600 SG-8018CE 37.125000MHz 3.20x2.50x1.20mm CMOS 1.620to3.630V -40to105°C +/-50ppm ≤4.4mA
X1G005591007700 SG-8018CE 19.200000MHz 3.20x2.50x1.20mm CMOS 1.620to3.630V -40to105°C +/-50ppm ≤3.5mA
X1G005591007800 SG-8018CE 6.005284MHz 3.20x2.50x1.20mm CMOS 1.620to3.630V -40to105°C +/-50ppm ≤3.5mA
X1G005591007900 SG-8018CE 57.209760MHz 3.20x2.50x1.20mm CMOS 1.620to3.630V -40to105°C +/-50ppm ≤5.2mA
X1G005591008000 SG-8018CE 10.000000MHz 3.20x2.50x1.20mm CMOS 1.620to3.630V -40to105°C +/-50ppm ≤3.5mA
X1G005591008100 SG-8018CE 133.000000MHz 3.20x2.50x1.20mm CMOS 1.620to3.630V -40to105°C +/-50ppm ≤8.1mA
X1G005591008200 SG-8018CE 32.400000MHz 3.20x2.50x1.20mm CMOS 1.620to3.630V -40to105°C +/-50ppm ≤4.4mA
X1G005591008300 SG-8018CE 22.579200MHz 3.20x2.50x1.20mm CMOS 1.620to3.630V -40to105°C +/-50ppm ≤4.4mA
石英晶振振荡器SPXO的总精度（包括起始精度和随温度、电压及负载产生的变化）可以达到±25ppm.SPXO既无温度补偿也无温度控制措施,其频率温度特性几乎完全由石英晶体振子的频率温度特性所决定.在0～70℃范围内,日产晶振SPXO的频率稳定度通常为20～1000ppm,SPXO可以用作钟频振荡器.温度补偿晶体振荡器TCXO是通过附加的温度补偿电路使由周围温度变化产生的振荡频率变化量削减的一种石英晶体振荡器.X1G005591031100日本EPSON晶振,爱普生石英晶体振荡器

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从而使石英晶体谐振器组成的振荡器频率稳定度十分高,可达10－12/日.石英晶体振荡器的振荡频率既可近似工作于fos处,有源晶体振荡器也可工作在fop附近,因此石英晶体振荡器可分串联型和并联型两种.用石英晶体谐振器及其等效电路,取代LC振荡器中构成谐振回路的电感（L）和电容（C）元件,则很容易理解晶体振荡器的工作原理.X1G005591031100日本EPSON晶振,爱普生石英晶体振荡器

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